倒装芯片技术.ppt

步骤－01 1、硅片清洗：方法和目的与蒸镀中清洗相同。 2、UBM沉积：典型的UBM材料层为： TiW－Cu－Au ，溅射到整个硅片上。理论上讲， UBM 层提供了一个平均得电流分布以利于一致的电镀。图(a)是硅片覆盖了TiW的情形，为了形成微球或者图钉帽结构，施加掩模（b），沉积一定高度的Cu和Au（c）， 一般凸点总体高度为85 mm to 100 mm时候，微球高度为10 mm到25 mm 。 * * Prof. Wu Fengshun, 第九十五页，编辑于星期五：十点 二十一分。 步骤－02 3、焊料的电镀： 再次施加掩模，以电镀凸点（d） 。 当凸点形成之后，掩模被剥离（e）。 暴露在外的UBM在一到两天内刻蚀掉。 4、回流成球：回流后利于凸点在UBM去除时候不被破坏见图（f） 。 * * Prof. Wu Fengshun, 第九十六页，编辑于星期五：十点 二十一分。 Electroplating Solder Bumping Process电镀焊球凸点工艺 Process Flow of Electroplating Solder Bump 电镀焊球凸点工艺流程 Chip PR opening Chip Electroplated solder bump Mushrooming 2. Sputter Under Bump Metal金属层溅射 3. Coat with PR 覆盖光胶 4. Pattern for bump 凸点光刻 5. Electroplating Cu and Sn/Pb焊料电镀 6. Remove Resist 去除光胶 1. Wafer with Al pad 钝化和金属化晶片 Chip Passivation Al contact pad Chip UBM Chip Thick photoresist film Chip 7. Strip Under Bump Metal 去除UBM Chip 8. Reflow回流 Chip solder ball after reflow * * Prof. Wu Fengshun, 第九十七页，编辑于星期五：十点 二十一分。 Electroplating Solder Bumping Process电镀凸点制备工艺 Peripheral array solder bumps 周边分布凸点 Area array solder bumps 面分布凸点 The peak temperature of reflow process回流焊峰值温度： 220 oC. The effective bump pitch for peripheral array周边分布有效凸点间距： 125 ?m. * * Prof. Wu Fengshun, 第九十八页，编辑于星期五：十点 二十一分。 Process Specification工艺参数 Photoresist Thickness 光刻胶厚度: 40~100 ?m Bump Material凸点材料: 63Sn/37Pb Bump height 凸点高度: 75~140 ?m UBM layer凸点下金属层: Ti/W-Cu, Cr-Cu Min. effective pitch of bump 最小有效凸点间距 : 125 ?m I/O array输入/输出分布: peripheral array周边分布 and area array面分布 * * Prof. Wu Fengshun, 第九十九页，编辑于星期五：十点 二十一分。 Flip Chip on Low-Cost Substrate Samples Samples with Different Dimensions PCB上不同尺寸倒装焊样品 Flip Chip on Flexible substrate在软质底板上倒装焊 Direct chip attach on low-cost PCB, flexible substrate 已完成在低成本PCB和软质底板上倒装焊工艺的研究 MCM-L technology 多芯片组装技术. * * Prof. Wu Fengshun, 第一百页，编辑于星期五：十点 二十一分。 3、焊膏印刷凸点 Delco 电子（DE） 、倒装芯片技术公司（FCT）、朗讯等公司广泛常用焊膏印刷成凸点的方法。 目前各种焊膏印刷技术可达到250 mm的细间距。 下面简介DE/FCT的基本工艺。 Stencil Printing Bumping Flip Chip Technology丝网印刷凸点倒装焊技术 * * Prof. Wu Fengshun,