模拟电路分析.pptxVIP

1;半导体的导电特性;共价键;本征激发或热激发： 当温度升高或受到光的照射时，受束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。;复合：自由电子在运动过程中与空穴相遇并填补空穴，两者同时消失；;电子和空穴产生，复合过程动画演示;半导体的导电机制：;半导体导电机理动画演示;a. 电阻率大;杂质半导体——在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。;;N型半导体形成过程动画演示;P型半导体;;P型半导体的形成过程动画演示;?因多子浓度差;少子飘移;PN结形成过程动画演示;PN结的单向导电性;(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 ;PN结正偏动画演示;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ;PN结反偏动画演示;;PN结的伏安特性曲线及表达式：; 根据理论分析：;PN结的电容效应;(2) 扩散电容CD;思 考 题;1.2 半导体二极管; 二极管按结构分三大类：;(2) 面接触型二极管;(3) 平面型二极管;半导体二极管实物;半导体二极管的型号;半导体二极管的伏安特性曲线;小结： 正向特性： 外加正向电压时，存在阻碍二极管导通的死区电压；当正向电压超过该电压值时，二极管导通，此时，正向电流在较大范围内变化，而管子的电压降变化较小。 反向特性： 外加反向电压时，产生由少子漂移形成的反向电流，其特点是受温度影响较大，当反向电压不超过某值时，反向电流大小基本不变（亦称反向饱和电流Is)，与反向电压高低无关。 反向击穿特性： 外加反向电压超过UR（反向击穿电压）时，反向电流急剧增大，二极管发生击穿。;温度对半导体二极管特性的影响;二极管的主要参数;简单二极管电路的图解分析方法;例 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;;;模型三：折线模型;1.二极管V-I 特性的建模;或根据;;1.3 半导体二极管的应用;模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;例：二极管构成的限幅电路，R＝1kΩ，UREF=2V，输入为ui (1)若ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、恒压源模型计算电流I和输出电压uo;（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波;0;（4）开关电路;【练习】二极管电路如图所示，判断途中二极管是导通还是截止， 并确定各电路输出端电压UO 。设二极管的导通压降为UD。;2．模型分析法应用举例;稳定电压;稳压二极管的主要参数;;解之得：;练习：计算下列稳压管的稳压值，设每个稳压管的稳压值为6伏。;;;;;;;作 业