金属半导体和半导体异质结.ppt

第九章 金属半导体和 半导体异质结;第九章 金属半导体和半导体异质结;9.1 肖特基势垒二极管;9.1.1 性质上的特征;基本概念;画能带图的步骤： 1. 画出包括表面在内的各部分的能带图 2. 使图沿垂直方向与公共的E0参考线对齐，并通过 公共界面把图连起来 3. 不改变半导体界面能带的位置，向上或向下移动 半导体体内部分的能带，直到EF在各处的值相等 4. 恰当地把界面处的Ec, Ei, Ev和体内Ec, Ev, Ei连接起来 5.去除不重要的 ;Figure 9.1;?B0=?m-?;外加电压后，金属和半导体的费米能级不再相同，二者之差等于外加电压引起的电势能之差。 金属一边的势垒不随外加电压而变，即：?B0不变。 半导体一边，加正偏，势垒降低为Vbi-Va 反偏势垒变高为：Vbi+VR;正偏;肖特基二极管：正偏金属的电势高于半导体 ; ?M?s，整流接触 正偏，半导体势垒高度变低，电子从S注入M，形成净电流I，I随VA的增加而增加。 反偏：势垒升高，阻止电子从S向金属流动，金属中的一些电子能越过势垒向半导体中运动，但这一反向电流很小。 结论： ?M?s时，理想的MS接触类似于pn结二极管、 具有整流特性;整流接触;7.1 金属和半导体接触及其能带图;7.1 金属和半导体接触及其能带图; 例2：受主浓度为NA=1017cm-3的p型Ge, 室温下的功函数是多少？若不考虑界面态的影响，它与Al接触时形成整流接触还是欧姆接触？如果是整流接触，求肖特基势垒的高度;;9.1.2 理想结的特性;结电容： ;9.1.3影响肖特基势垒高度的非理想因素;;Figure 9.4;镜像力的势能将叠加到理想肖特基势垒上，势能在x= xm处出现最大值，（镜像力和电场力平衡的地方），说明镜像力使肖特基势垒顶向内移动，并且引起势垒高度降低，这就是肖特基势垒的镜像力降低现象，又叫做肖特基效应。;二、 界面态对势垒高度的影响;表面态存在一个距离价带顶为?0的中性能级： 电子正好填满?0 以下的所有表面态时，表面呈电中性； ?0以下的表面态空着时，表面带正电，呈施主型； ?0之上的表面态被电子填充时，表面带负电，呈现受主型。对于大多数半导体， ?0约为禁带宽度的三分之一。 ;; 假设在n型半导体表面存在表面态： 当EF低于?0时， ?0之下有一些态是空着的，表面呈正电，这些正电荷和金属表面的负电荷所形成的电场在金属和半导体之间的微小间隙中产生电势差，所以半导体的耗尽层中需要较少的电离施主来平衡。结果自建势被显著降低， 金属一边的势垒也降低。 ;半导体费米能级EF高于?0，则在?0和EF之间的能级基本上被电子填满，表面带负电。这样半导体表面附近必定出现正电荷，成为正的空间电荷区，结果形成电子的势垒，并使?B0增加。;;9.1.4 电流-电压关系; Js m是电子从半导体扩散到金属中的电流密度， Jm s是电子从金属扩散到半导体中的电流密度。;;;;??随着电场强度和反偏电压的增大而增大，反偏电流随反偏电压的增加而增加。;;Figure 9.9;9.1.5肖特基势垒二极管 和pn结二极管的比较;Figure 9.10;; 2.两种二极管正偏时的特性也不同，肖特基二极管的开启电压低于pn结二极管的有效开启有效开启电压。 3.二者的频率响应特性，即开关特性不同。 pn结从正偏转向反偏时，由于正偏时积累的少数载流子不能立即消除，开关速度受到电荷存储效应的限制；肖特基势垒二极管，由于没有少数载流子存储，可以用于快速开关器件，开关时间在皮秒数量级，其开关速度受限于结电容和串联电阻相联系的RC延迟时间常数。工作频率可高达100GHz.而pn结的开关时间纳秒数量级;MS可以用来加快BJT的瞬态关断过程。称为肖特基二极管的钳制。它的作用是，当BJT在开启状态进入饱和模式时，MS二极管导通并把CB结钳制到相对低的正偏压下，这种方法利用了MS能比pn结的导通电压低这一特点。这样CB结可以维持在一个相对较低的电压上，在BJT中可以有最少的电荷储存。所以关断的时间显著减少。;9.2 金属半导体的欧姆接触;?M?s，欧姆接触 正偏： 电子从半导体流向金属没有遇到势垒， VA0, 就会有很大的正向电流 反偏：电子从金属流向半导体会遇到小的势垒，反偏 电压VR大于零点几伏，势垒就会变为0，在相对 较小的反偏电压下，会有很大的电流。且电流 不饱和 结论：?M?s形成欧姆接触 实际要形成欧姆接触时，要求半导体重掺杂，使空间电荷层很薄，发生隧道穿透。;9