一种异质交替叠层台阶引导生长三维坡面纳米线阵列的方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 一种异质交替叠层台阶引导生长三维坡面纳米线阵列的方法与流程 本创造涉及一种平面纳米线三维坡面阵列生长方法，特殊是通过对异质交替叠层进行刻蚀形成坡面纳米引导台阶，从而实现高密度坡面平行纳米线阵列的方法。涉及一种获得高密度三维纳米线沟道阵列的牢靠方法，可广泛应用于半导体微纳电子器件，尤其针对大面积电子(平板显示TFT应用)、3D规律、柔性/可穿戴电子和场效应生物化学传感器件。背景技术：晶硅或相关半导体纳米线(Nanowire)是开发新一代高性能微纳电子规律、传感和显示应用的关键构建单元。基于自上而下的电子束直写(EBL)技术制备直径在10～100nm范围的纳米线结构，已阅历证各种新型纳米线功能器件的优异特性，但由于其制备成本及其昂贵、产量低等因素，始终以来都难以得到规模化应用。相比之下，通过纳米金属液滴催化的自下而上的自组装(Self-assembly)纳米线生长，可以大批量制备直径在百纳米以下的晶态硅、锗和各种合金半导体纳米线。然而，通常接受的气-液-固(VLS)生长模式所制备的纳米线多为竖直随机阵列，难以挺直在目前的平面电子工艺中实现牢靠且低成本的定位集成。为了更好地与平面电子工艺相兼容，并实现定位集成，本申请创造人最早提出了一种平面固液固(IP SLS)生长模式：其中，接受非晶硅作为前驱体，由低熔点金属铟、锡纳米颗粒吸取