操作存储器装置的方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 操作存储器装置的方法与流程 本发明藏匿涉及一种电子装置，更详细地，涉及一种操作存储器装置的办法。背景技术：储存装置是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。储存装置可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置仅在通电时存储数据，而在切断电源时会走失所存储的数据。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(sram)、动态随机存取存储器(dram)等。非易失性存储器装置即使断电也不会走失数据。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存等。消费者对改进的电子装置的需求要求对这些电子装置所采纳的存储器装置举行持续改进。技术实现要素：本发明藏匿的实施方式提供了一种操作存储器装置的改进办法，其提供了改进的测试性能。按照本发明藏匿的实施方式的操作存储器装置的办法包括：基于多个存储器管芯中的每一个的操作速度，分离设定与多个存储器管芯相对应的多个编程偏压；基于多个存储器管芯当中的被选存储器管芯的被选块中所包括的多个字线组中的每一个的操作速度，分离设定与多个字线组相对应的多个偏移；以及用法基于与被选存储器管芯相对应的编程偏压和多个偏移而确定的多个高电压和设定的低电压来检测被选存储器管芯的目标块的缺陷。按照本技术，提供了一种具有改进的测试性能的操作存储器装置的办法。附图解释图1是描述包括多个存储器管芯的晶圆的图。图2是描述按照实施方式的图1的存储器管芯的操作速度和fpgm偏压的表。图3是描述按照实施方式的图1的存储器管芯的结构的框图。图4是描述包括多个存储器块的图3的存储器单元阵列110的图。图5是描述按照实施方式的图4的存储器单元阵列的3d存储器块的立体图。图6是描述以单层堆叠结构形成的单元串的图。图7是描述图6的字线组的操作速度和偏移的表。图8是描述按照实施方式的样本块和样本字线的图。图9是描述按照实施方式的编程操作的图。图10是描述测量操作速度的第一实施方式的阈值电压分布的图。图11是描述按照第一实施方式的操作速度测量办法的流程图。图12是描述测量操作速度的其次实施方式的阈值电压分布的图。图13是描述按照其次实施方式的操作速度测量办法的流程图。图14是描述按照实施方式的字线应力施加操作的图。图15是描述按照另一实施方式的字线应力施加操作的图。图16是按照实施方式的用于测试存储器装置的办法的流程图。详细实施方式在下文中，将参照附图具体描述本发明藏匿。图1是描述包括多个存储器管芯die_1至die_9的晶圆的图。参照图1，晶圆可以是用于创造多个存储器管芯die_1至die_9的圆形半导体基板。形成于晶圆上的存储器管芯die_1至die_9可以按照位置具有不同的特性。例如，越逼近晶圆的中心部分，特性越好，并且越逼近晶圆的边缘，特性越差。特性可以包括存储器装置的操作速度、牢靠性、寿命等。在图1中，管芯die_1至die_9可以形成为正方形，其中管芯die_5位于正方形的中心，并且管芯die_1、die_3、die_7和die_9位于正方形的角部边缘。管芯die_4、die_2、die_6和die_8各自定位为与中心管芯die_5相邻，每个管芯与中心管芯die_5分享一条公共边以形成十字形。管芯die_4、die_2、die_6和die_8的位置可以称为中间位置。管芯die_1、die_3、die_7和die_9的位置可以被称为角部边缘位置或最远边缘位置。因此，位于最中心部分的中心存储器管芯die_5的特性可以是最佳的，并且位于最远边缘位置的存储器管芯die_1、die_3、die_7和die_9的特性可以是最差的。位于边缘和中心部分之间的中间位置的存储器管芯die_2、die_4、die_6和die_8的特性可以在最佳特性和最差特性之间。图1示出了晶圆中的九个存储器管芯作为示例。应该理解，晶圆中所包括的存储器管芯的数量可以按照设计而变幻。另外，用于区别存储器管芯的特性的类型和数量不限于在本实施方式中作为示例所描述的那些。图2是描述按照实施方式的图1的存储器管芯的操作速度和灵便编程(fpgm)偏压的表。参照图1和图2，具有最佳特性的存储器管芯die_5的操作速度可以是最高的，在本文中被称为快。存储器管芯die_2、die_4、die_6和die_8的操作速度可以是中等的，在本文中也称为正常。具有最差特性的存储器管芯die_1、die_3、die_7和die_9的操作速度可以是最低的，在本文中也被称为慢。每个存储器管