步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 步进编程脉冲操作中决定快速通过写入操作的方法与系统与流程 本发明是有关于一种存储器操作技术，且特殊是有关于在步进编程脉冲(incrementsteppulseprogramming，ispp)操作中打算迅速通过写入(quickpasswrite，qpw)操作的办法与系统。背景技术：因应各种电子产品的广泛应用，快闪存储器在市场上是稳定地持续成长。为了提升存储容量，存储单元的结构也已进展成可存储多个位的存储单元，其例如是多阶存储单元(multi-level-cell,mlc)，其利用存储晶体管的阈值电压的不同阶次(level)来对应所储的数据，如此达到多位的存储。快闪存储器更例如是nand型的快闪存储器，但是不限于此。因为存储器的多个晶体管的阈值电压不会彻低全都，因此这些晶体管的每一个阶次的阈值电压事实上是一个封包的分布。当存储单元是多阶存储单元(mlc)的结构时，其会有多个封包簇拥在0v到编程验证(program-verify，pv)电压之间。假如封包的分布的宽度较大，其相邻两个封包的尾端很可能重叠。假如读取的数据所应的阈值电压落在重叠区域，则可能会造成数据判错误，其需要后续一些复杂的程序来举行错误码的修正。假如能缩减阈值电压封包的分布的宽度，其可以预期削减重叠区域。这是在多阶存储单元的操作上所需要继续研发的课题其一。技术实现要素：本发明提供一种在步进编程脉冲操作中打算迅速通过写入操作的办法与系统。本发明在步进编程脉冲操作中可以打算引入迅速通过写入操作的时光点，其中迅速通过写入操作的位线电压也可以协作设定，如此可以估量出位线电压与迅速通过写入操作的时光点两者构成的最优化(optimized)的操作区域。于一实施例，本发明提供一种在步进编程脉冲操作中打算迅速通过写入操作的办法。该步进编程脉冲操作是先对存储单元阵列的多个存储单元施加，该迅速通过写入操作是栅极电压达到比一编程验证电压小的一预先编程验证电压后开头采纳迅速通过写入操作。由该预先编程验证电压到该编程验证电压有一电压差值，该迅速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压。该打算迅速通过写入操作的办法包括依照变幻在第一范围内的多个该位线电压以及变幻在其次范围内的多个该电压差值，估量在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。再者，依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估量施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，打算由该位线电压的施加范围以及该电压差值的施加范围所构成的操作区域。于一实施例，对于所述打算迅速通过写入操作的办法，该阈值电压分布宽度的该缩减量是针对每一个该位线电压在一步进电压下举行估量，其包括在对应当位线电压及该步进电压下估量不同的该电压差值的阈值电压相对栅极电压的变幻曲线。依照该变幻曲线估量在该电压差值下位于该编程验证电压的斜率。依照该斜率及该步进电压估量相对该位线电压是0v的该缩减量。该位线电压是由0v到一预定值的多个分别分析值。于一实施例，对于所述打算迅速通过写入操作的办法，该操作区域包括三角形，该三角形的底部是该位线电压的范围。于一实施例，对于所述打算迅速通过写入操作的办法，该缩减量地形图是按照该位线电压的高度打算第一选取区域，该编程枪数地形图是按照该编程枪数的高度打算其次选取区域，该第一选取区域与该其次选取区域重叠区域的起码一部分设定为操作区域。于一实施例，对于所述打算迅速通过写入操作的办法，该阈值电压分布宽度的该缩减量的估量包括按照预定样本的该位线电压、该电压差值及该步进电压与试验数据举行模型比对，以确定模型的正确性。于一实施例，本发明再提供一种在步进编程脉冲操作中打算迅速通过写入操作的系统。该步进编程脉冲操作是先对存储单元阵列的多个存储单元施加，该迅速通过写入操作是栅极电压达到比一编程验证电压小的一预先编程验证电压后开头采纳迅速通过写入操作。由该预先编程验证电压到该编程验证电压有一电压差值。该迅速通过写入操作是在步进编程脉冲操作中同时施加一位线电压。该打算迅速通过写入操作的系统包括一分析电路与一分析程序存储单元，其中该分析电路被配置成从该分析程序存储单元取得分析程序对该存储单元阵列举行操作，以执行以下步骤包括依照变幻在第一范围内的多个该位线电压以及变幻在其次范围内的多个该电压差值，估量在该位线电压与该电压差值下所得到阈值电压分布宽度的缩减量，得到缩减量地形图。依照多个该位线电压以及多个该电压差值，估量施加该步进编程脉冲操作达到该编程验证电压所需要的编程枪数，得到编程枪数地形图。将缩减量地形图与编程枪数地形图叠置后，打算由该位线电压的施加范围以及该电压差值的