第三章-溅射薄膜制备技术PPT课件.ppt

第三章、溅射镀膜;第一节、基本概念;离子轰击固体表曲所引起的各种效应;2、什么是等离子体;等离子空间;第二节、溅射的基本原理;3、辉光放电过程;2）辉光放电的I－V特性;●AB段：电压增加，而电流密度增加很小，说明电压不够。 ●BC段：电压不变，电流密度增加很快。说明电离已经产生，但电源的阻抗很大。 ●C点：击穿电压VB ●CD段：“雪崩区”、离子轰击靶、释放出二次电子，二次电子与中性分子碰撞，产生更多离子，这些离子再轰击阴极，又产生新的二次电子。达到一定的电子、离子浓度后，气体起辉，两极间电流剧增，电压剧减。电阻呈负阻特征。; ●DE段：电流与电压无关，增大功率时，电压不变，电流增加。放电能自动调节轰击阴极的面积，起初集中在阴极边缘或表面不规则处，随功率密度的增加，阴极面的电流密度达到近乎于均匀。 ●EF段：增大功率，呈正电阻特性。 溅射一般工作在此区。; 在气体成分和电极材料一定时，击穿电压只与气压及电极距离的乘积相关。; pd太小——二次电子在碰撞阳极前不能进行足够数量的电离碰撞。 pd太大——气体中产生的离子，由于非弹性碰撞被慢化、减速，到达阴极时无足够能量来产生二次电子 大多数辉光放电，pd乘积在最小电压值右侧——p有一定值，n较多；d有一定值，溅射效率较高，特别是成膜区可以扩大。;4）等离子体鞘层;结果：任何与等离子体接触的表面自动处于一个负电位，并在其表面处伴随有正电荷的积累。形成等离子体鞘层。;鞘层电压：;5）辉光放电的空间分布;阿斯顿暗区：阴极发射的二次电子能量小 （1ev），不足以电离中性分子。;两电极间电压降主要在阴极与负辉光区之间。因此，当极间电压不变而长度改变时，阴极到负辉光区的距离不变，而是正光柱区变化。;6)辉光放电的主要形式（用于溅射）;第三节、溅射特性;1.2 与靶材原子序数的关系;Ⅰ溅射率呈现周期性，总趋势随Z增大而增大； Ⅱ同一周期中，惰性元素的溅射率最高，而中部 元素溅射率最小。;1.4 与入射角的关系;1.5 与靶材的晶体结构有关;1.6 与靶材温度的关系;2. 溅射原子的角度分布;2.2 与入射??子的角度的关系;第四节、溅射机理;●该理论不能解释的现象：;2. 级联碰撞理论;二体弹性碰撞;●当m1=m2，?=0时， λ＝1，为最大值，完全能量转移;溅射率的表达式;若考虑原子的相互作用：;第五节、溅射的特点;二、缺点（针对二极溅射）;第六节、蒸发与溅射的比较;3、逸出粒子性质;（2）迁移过程 蒸发：真空度10-5~10-6Torr，?＞源—基距，淀积粒子几乎不发生碰撞，直线淀积，薄膜不均匀； 溅射：真空度10-2~10-4Torr， ?＜源—基距，;第七节、溅射类型;缺点：;2. 真空度低，1-10Pa，方能维持放电。 3. 残留气体对膜层的污染较严重。 4. 淀积速率低，小于10nm/min； 5. 基板的温升高，辐照损伤大； 6. 靶材必须是良导体（直流）。;二、偏压溅射;若加负偏压（基片电位低于阳极电位） 可以提高薄膜的纯度和附着力。 除掉吸附气体； 离子轰击基片 除掉附着力差的淀积原子； 清洗作用。 2. 偏压可改变薄膜的结构 a 偏压在（-100～+10V） 四方结构，电阻率高； b 偏压-100V， 体心立方结构，电阻率低。;3. 偏压可改变薄膜中杂质离子的浓度;二极溅射：放电靠离子轰击阴极发射二次电子来维持， 此需较高的工作气压。 三极溅射：由热阴极发射电子来维持放电， 同时使靶电位低于等离子体电位， 阳极和基板支架分离，阴极和靶分离。 四极溅射：在三极溅射的基础上增加辅助阳极， 作用是使放电更加稳定。;1.为什么直流溅射不能溅射绝缘靶 溅射条件：靶电位等离子体电位 正离子轰击靶，99％以上注入， 使靶电位升高 2. 射频溅射原理;;在正半周(靶电位为正)，绝缘体的极化作用，靶表面吸引电子，电位很快降低至等离子体电位；;射频溅射时等离子鞘层和靶电位的变化曲线;3. 射频溅射的空间电位分布－－为什么在正半周不对基片进行溅射？;6. 射频溅射的特点;四、磁控溅射;溅射产生二次电子和原子，对于e1电子 近似认为：二次电子在阴极暗区只受磁场作用； 在负辉光区只受磁场作用 在电磁场的作用下，二次电子作上下的振荡 横向的漂移;若电磁场是闭合的，则二次电子的运动轨