极化强度与磁化强度.docVIP

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  • 2021-11-21 发布于天津
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第1节极化强度P 定义 无外电场 无极分子电介质P分 = 0 有极分子电介质P分-0 a =0,介质不呈电性 在外电场E0作用下 无极分子电介质发生位移极化 有极分子电介质发生 取向极化(+位移极化) 每个分子可以用一个电偶极子去等效, a P分- 0,介质呈电性 各向同性均匀电介质,束缚电荷只分布在介质表面上 E = E0 E,E 与 E0 反方向,E ::: Eo ?2 :宏观无限小,微观足够大 极化强度P 生 3 2 SI: Cm/m =C/m 介质内部每一点上都有一个极化强度矢量与之相对应 —q Al q束缚电荷与极化强度P的关系 斜介质柱体,:= q7.〉 —q Al q 、瑕=P V 二 P I Scosr ■ ■ PlIlScosv = q =1 , n 二 SP = l=Scos J = q I , 二 S L = P cos日=Pn = P n 讨论: 0 ,二=Pcos) 0 2 c Ji * n r 八 二二一,二=0 , :: v :::二,;丁 = P co s :: 0 2 2 e = ?! l= -p 例: 均匀介质球体,均匀极化 ;--0 均匀介质直圆柱体,均匀极化 :sP dS :sP dS 二:sPcos^dS cr - cr 三、D的高斯定理 TOC \o 1-5 \h \z --1 “ E dS q S ;0内 1 (qf q ) ;0 内 内 I ;°E dS 八 qf q (1) 内 内 =左PcosPS + 右pcos 刃S + 侧 pcos^dS =fdS二PS (介质表面处;「二P,内部P = ~ ) —S = _ ( -;「S)=二 q (2) 内 (1) + (2): ■-S( ;°E P) dS 八 q 内 定义:电位移矢量D = ;0E ? P :D dS =為qf : D的高斯定理 内 四、D、E与P的关系 D = ;oE P,一般,三者不一定同方向 各向同性均匀电介质,P^E (总电场) P = e 0E, e :极化率 D「E P = ;°E e;°E = (1 e) E线(电力线):由正电荷发出,终止于负电荷 D线:由正自由电荷发出,终止于自由负电荷 P线:由负束缚电荷发出,终止于正束缚电荷 平板电容器 介质板 D线, E线, 例: 求: 解: 半径为Ri的金属球带电Q , 外罩一个介质球壳 (1) (2) (1) D、E分布 介质中的P 及束缚电荷分布 rR, D=0 , E=0 R r , D = a 2 , 4 二r E - 4二;°r Q L Q R2 :: r :: R3, D = 2 , E 二 4 二r 4- ;0 ;rr r Q Q r R3, D 2 ,E 二 - 2 TOC \o 1-5 \h \z R2 =:: r :: R3, D = ;0E P, D = 0E P Q Q Q 1 P=D_ ;°E =严 「= (1_—) 4 兀r 4 兀 grr 4rr sr Q 1 P 2 (1 ) 4 二 R2 ;r ;--P =- Q2(1 _ 1 ) 4 R2 r 2 1 q =;「4:r2 = — Q(1 ) r = R r = R3 , PK1 二) 二P =辺匕― 4 R3 r 2 1 --4 R32 = Q(1 ) ;r 第2节磁化强度 定义 无外磁场时 抗磁质分子 顺磁质分子 Pm分 Pm分 -0 I传 7 Pm分=0,介质不呈磁性 在外磁场B。作用下 抗磁质分子产生附加磁矩 顺磁质分子在外磁场中转动 每个分子磁矩可以用一个分子电流去等效, ― ■- Pm 分=0 介质宏观呈磁性 各向同性均匀磁介质,磁化电流只分布在介质表面上 B二B。B,抗磁质B ::: Bo,顺磁质B ■ Bo 厶V :宏观无限小,微观足够大 磁化强度M, 空分 AV 2 3 SI: Am /m = A/ m 点上都有一个磁化强度矢量与之相对应介质内部每磁化电流与M的关系 均匀介质柱体Is 点上都有一个磁化强度矢量与之相对应 介质内部每 磁化电流与M的关系 均匀介质柱体 Is/ l =is :面磁化电流密度 流过和电流相垂直的单位长 度上的电流强度 、Pm分二M V 二M l :S MlS = IS S n, MlS = iS :l :S is =M is = M 5 iS = M si n = Mt (M在表面内的分量) 讨论:V - 0,is =o,二一 2 H的安培环路定律 :B dl tT L 内 二o( I 震. Is) 内 内 B - 一 L dl 二 I传 Is ( 1) ? 0 内 内 :M dl 二屮 cost dl ? :l ?:S is — M,r=..,is=0 b c d a =a M C0S 划 + b M C0S 划

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