电子工程物理基础PPT课件.ppt

对于突变结： * 耗尽层近似条件成立 正偏下： 其中 : 对于线性缓变结： ——扩散电容 (2) 扩散电容 也称电荷存储电容（charge storage capacitance ） 同理： 那么， 显然， CT与CD都与p-n结的面积A成正比，且随外加电压而变化。 （3）总电容 p-n结的总电容为两者之和： 大正向偏置p-n结时，以CD为主，Cj≈CD 小正向偏置或反向偏置p-n结时， 以CT为主，Cj≈CT 影响p-n结伏-安特性的主要因素： 产生偏差的原因： （1）正向小电压时忽略了势垒区的复合电流；正向大电压时忽略了扩散区的漂移电流和体电阻上的压降。 （2）在反向偏置时忽略了势垒区的产生电流。 三.p-n结的异常特性 1.p-n结I-V特性的非理想因素 缓变结与突变结 1. Alloyed Junctions (合金结) 2. Diffused Junctions (扩散结) 3. Ion Implantation (离子注入) 4. Epitaxial Growth (外延生长) 合金结、高表面浓度的浅扩散结 深扩散结 突变结空间电荷区的电场E(x)、电势V(x)、宽度XD 泊松方程 poisson’s equation: In the p-region: 所以 In the n-region: 及 突变结 空间电荷区宽度XD 掺杂浓度高的一侧，空间电荷区域窄。 其中： 空间电荷区宽度(Space charge region width) 3. pn结能带 (Enery band ) 势垒区 - + 0 VD nno ppo 势垒区 - + 0 VD nno ppo 势垒区 高度qV ？ 空间电荷区的接触电势差 V？ 势垒区 宽度 XD ？ 空间电荷区 宽度XD ？ 各区域的载流子浓度分布 n（X）、p（X）？ n(x) 4. pn结的物理参量 n型半导体中的电子浓度为 p型半导体中的电子浓度为 接触电势差VD * 势垒高度 qVD~ ND、NA 、Eg 接触电势差 (The Contact Potential) 势垒区或空间电荷区宽度 载流子分布 -Xp Xn 0 -Xp Xn 0 -Xp Xn 中性区 Carrier distributions 或 二.p-n结的常规特性 1. 势垒区的自由载流子全部耗尽,并忽略势垒区中载流子的产生和复合。 现假设: 2. 小注入:注入的少数载流子浓度远小于半导体中的多数载流子浓度。在注入时，扩散区的漂移电场可忽略。 1. Pn结的I-V特性 中性区 nn0 np0 正向偏压下 外加电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，因而使势垒两端的电势差由VD减小为（VD-Vf），相应地势垒区变薄。 (1) 正向偏置 （ Forward bias） 由于电场作用而使非平衡载流子进入半导体的过程称为-电注入 非平衡态 漂移 扩散 漂移=扩散 Space charge region Neutral region Diffusion region 漂移 扩散 外加正向偏压 这两股电流之和就是正向偏置下流过p-n结的电流。 P区空穴向n区扩散——空穴扩散电流 n区电子向P区扩散——电子扩散电流 与外加电压关系是什么？ 平衡时 正向偏置 正向偏置下的能带图 正向偏置下的电流 考虑-xp截面： 忽略了势垒区载流子的产生和复合： 根据电流连续性原理，通过p-n结中任一截面的总电流是相等的，只是对于不同的截面，电子电流和空穴电流的比例有所不同而已。 样品足够厚 同理： 肖克莱方程 外加电场Vr与内建电场方向一致 漂移扩散 (2)反向偏置 （Reverse bias） VD增大为（VD+Vr），相应地势垒区加宽 势垒区两侧边界上的少数载流子被强电场扫过势垒区。使边界处的少子浓度低于体内。产生了少子的扩散运动，形成了反向扩散电流。 类似于正向偏置的方法，可求得反向电流密度 式中，Js不随反向电压变化，称为反向饱和电流密度；负号表示反向电流方向与正向电流方向相反。 p-n结的正向和反向电流密度公式可统一用下列公式表示： 正向：V= Vf 反向：V= -Vr （3）I-V characteristic of a p-n junction p-n结的伏-安特性 单向导电性---整流 Ge、Si、GaAs： 0.3、 0.7、1V 具有可变电阻性 结论 VT Eg V