第一篇第三章-场效应管及其电路分析PPT课件.ppt

模拟电子技术电路 讲课人：王欢 第三章 场效应晶体管及其电路分析 1.3.1 场效应管的结构、特性与参数 场效应管用FET表示（Field Effect Transistor）。具有输入电阻高、热稳定性好、工艺简单、易于集成等优点。 绝缘栅型IGFET(或MOS) （Insulted Gate Type） 增强型MOS （Enhancement） 耗尽型MOS （Depletion） 每一种又可分为 N沟道和P沟道。 结型JFET （Junction Type） 本质上是耗尽型，分为N沟道和P沟道。 场效应管分类： Metal-Oxide-Semiconductor 一、绝缘栅场效应管（IGFET） NMOS增强型 在P型衬底上加2个N+区，P型表面加SiO2绝缘层，在N +区加铝极。 MOS管的栅极与其它电极绝缘，所以输入电阻近似为， iG≈0 。 s：Source 源极 d：Drain 漏极 g：Gate 栅极 B：Base 衬底 PMOS增强型 箭头表示沟道的实际电流方向。 PMOS与NMOS的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。 增强型MOS管工作原理 (以NMOS为例） vGS=0, vDS较小：没有导电沟道(漏源间只是两个“背向”串联的PN结)， 所以d-s间呈现高阻，iD ≈ 0。 当vGS＞0，且当vGS增强到足够大：d-s之间便开始形成导电沟道。  开始形成导电沟道所需的最小电压称为开启电压VGS(th)(习惯上常表示为VT)。 vGS将在栅极与衬底这间产生一个垂直电场(方向为由栅极指向衬底)，它使漏-源之间的P型硅表面感应出电子层(反型层)使两个N+区连通，形成N型导电沟道。d、s间呈低阻，所以在vDS的作用下产生一定的漏极电流iD。 vGS＞VT时，vGS对iD的控制作用。   当vGS＝0时没有导电沟道，而当vGS 增强到＞VT时才形成沟道，所以称为增强型MOS管。并且vGS越大，导电沟道越厚，等效电阻越小，iD越大。 漏-源电压vDS产生横向电场：由于沟道电阻的存在， iD沿沟道方向所产生的电压降使沟道上的电场产生不均匀分布。近s端电压较高，为vGS；近d端电压较低，为vGD＝vGS-vDS，所以沟道呈楔形分布。 vGS＞VT且为定值时，vDS对iD的影响   当 vDS较小时： vDS对导电沟道的影响不大，沟道主要受vGS控制， 所以在为定值时，沟道电阻保持不变，iD随vDS 增加而线性增加。 当 vDS增加到vGS-vDS＝VT时（即vDS＝vGS-VT）：漏端沟道消失，称为“预夹断”。 当 vDS再增加时（即vDS＞vGS-VT）：iD将不再增加，趋向饱和。因为vDS再增加时，近漏端上的预夹断点向s极延伸，使vDS的增加部分降落在预夹断区，以维持iD的大小。 伏安特性与电流方程 (1) 增强型NMOS管的转移特性 在一定vDS下，栅-源电压vGS与漏极电流iD之间的关系 IDO是vGS=2VT时的漏极电流。 表示漏极电流iD与漏-源电压vDS之间的关系 (2) 输出特性(漏极特性) 可变电阻区 放大区(恒流区、饱和区) 截止区(夹断区) 特性与三极管相似，分为 3个工作区，但工作区的作用有所不同。 管子导通，但尚未预夹断，即满足的条件为： 可变电阻区 可变电阻区的特征是iD不仅受vGS的控制，而且随vDS增大而线性增大。可模拟为受vGS控制的压控电阻RDS。 又称恒流区、饱和区。条件是： 放大区 特征是iC主要受vGS控制，与vDS几乎无关，表现为较好的恒流特性。 夹断区 又称截止区。指管子未导通( vGS＜VT )时的状态。 耗尽型MOS管 制造过程人为地在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的K+(钾)或Na+(钠)正离子 。 vGS=0，靠正离子作用，使P型衬底表面感应出N型反型层，将两个N+区连通，形成原始的N型导电沟道。 vDS一定，外加正栅压(vGS＞0)，导电沟道变厚，沟道等效电阻下降，漏极电流iD增大； 外加负栅压(vGS＜0)时，沟道变薄，沟道电阻增大，iD减小。 vGS负到某一定值VGS(off)(常以VP表示，称为夹断电压)，导电沟道消失，整个沟道被夹断，iD≈0，管子截止 。 放大区的电流方程： 耗尽型NMOS的伏安特性 IDSS为饱和漏极电流，是vGS=0时耗尽型MOS管的漏极电流。 NMOS PMOS 二、结型效应管（JFET） 结构与符号 N区作为N型导电沟道，引出s极和d极。 在N区两侧扩散两个P＋区，形成两个PN结。 两个P＋区相连，引出g极，没有衬底B极。 N沟道 P沟道 JFET通过vGS改变半导体内耗尽层厚度（沟道的截面积）控制iD，称为体内场效应器件； MOSFET主要通