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半导体电阻率的丈量 半导体电阻率的丈量 PAGE / NUMPAGES 半导体电阻率的丈量 半导体电阻率的丈量 半导体资料的电阻率， 是判断资料混杂浓度的一个主要参数， 它反应了赔偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。 最早用来丈量电阻率 P 的方法是用一个已知尺寸的矩形样品来丈量电阻尺，直接利用 ρ=(V · S)／ (I · L) 获取电阻率，但关于半导体资料，这样丈量的电阻率将包含一个不行忽视的接触电阻项。 金属探针与半导体相接触的地方有很大的接触电阻， 这个电阻甚至远远超出半导体自己 的体电阻。 所以不可以用直接法丈量半导体资料的电阻率。 常用的接触式丈量半导体资料电阻 率的方法主要有以下几种： 两探针法； 三探针法； 四探针法； 单探针扩展电阻法； 范德堡法。 在这篇文章中，我们将主要介绍各样丈量半导体电阻率的方法。 （一）两探针法 两探针法的主要想法， 是利用探针与体电阻直接接触， 防止了与测试电阻的接触进而除去偏差。试样为长条形或棒状，且视为电阻率平均散布。 编写版 word 利用高阻抗的电压计丈量电阻上的电压进而获取流过半导体的电流， 再利用电压计测得 半导体上流过单位长度的电压压降，再测得长度 L，进而获取 ρ=（ V*S）/(I*L) ，S 为试样表 面积。 （二）三探针法 三探针法合用于丈量同样导电种类， 低阻衬底的外延层资料的电阻率。 该方法是利用金 属探针与半导体资料接触处的反向电流． 电压特征、 测定击穿时的电压来获取资料电阻率的 知识的。金半接触反向偏置时， 外电压几乎所有降在接触处， 空间电荷区中电场很大， 载流 子在电场作用下与晶格原子发生碰撞电离。 跟着外电场增添， 发生雪崩击穿， 击穿电压与混杂浓度相关， 详细关系由经验公式给出， 再依据电阻率与杂质浓度的关系图线， 进而能够获取资料的电阻率。 （三）四探针法 直线四探针法是用针距约为 1 毫米的四根探针同时压在样品的平坦表面上， 。利用恒流源给 l、 4 探针通以一个小电流，而后用高输入阻抗的电位差计、电子毫伏计或数字电压表 丈量电压。 利用高阻值电压计测得 2、3 探针间的电压值， 进而依据公式 ρ=V 23 *C/I 。 C 为探针系数是常数， I 则为流过半导体的电流大小。 四探针法比二探针 法好，它能够丈量样品沿径向散布的断面电阻率。 （四）单探针拓展电阻法 单探针扩展电阻法合用于丈量体资料的微区平均性及外延资料、 多层构造或扩展层等资料的电阻率或电阻率散布。 此法能够确立体积为 10-10 厘米 3 的地区的电阻率。 这类方法是利用一根金属锇 (或钨钴合金 )尖探针来探测样品表面电阻率的。要求探针资料硬度大而且耐 编写版 word 磨，样品正面要进行很好的机械抛光， 样品反面要用大面积超声波焊接来制作欧姆接触。 探 针固定在探针臂系统上，使其与样品表面一直保持垂直。 依据计算我们能够获取， Rs= V/I= ρ/(2 πr0), r0 为 针球面半径。实质上，关于脆性的半 岛体资料，探针尖与样品表面的接触面的真实几何形状为一个半径为 a 的圆。此时 ρ=Rs/4a 。a 为有效接触点半径， 它的计算与金属与半导体的杨氏弹性模量， 在探针尖的 压力相关。 （五）范德堡法 1958年范德堡出一种接触点位于晶体边沿的电阻率丈量方法。 该方法合用于厚度均 匀、无孤立孔洞的片状样品。当前，砷化镓资料和硅外延衬底资料的测试多用此法。 关于随意形状的片状样品， 在其边沿处取四个接触 点如图， AB 垂直于 CD 。丈量随意两接触点间的电流， 如 AC 间的电流 IAC ，丈量其他两接触点的电压 VBD ，则 获取 R1=V BD /I AC。同理再取一对组合获取 R2.。依据范 德堡计算出的公式， 此中的函数为范德堡修正函数，能够经过查表获取。 范德堡法的长处在于关于随意形状的半导体都能够进行丈量，可是，丈量的方法要 编写版 word 求在边沿取点，这就致使了这个丈量方法只好获取整体的电阻率，而不可以测出微段地区 的电阻率。 （此文档部分内容根源于网络， 若有侵权请见告删除， 文档可自行编写改正内容，供参照，感谢您的配合和支持） 编写版 word