电池组管理芯片的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 集成器件及电池/电池组管理芯片的制作方法 1.本藏匿涉及一种集成器件及电池/电池组管理芯片。背景技术：2.在电池系统中，电池的过度充电和过度放电不仅会降低电池的用法寿命，严峻时还会引发爆炸和火灾的平安事故。该电池例如为锂电池组等。3.图1示出了按照现有技术的传统过流检测方式。4.电池正常放电时，驱动单元的输出的控制信号od和oc端口的电压通常为vdd、5v或15v左右，控制信号od和oc分离衔接到庇护开关mos晶体管m1和m2的栅极(g)，此时m1和m2工作在线性区， m1和m2的漏极(d)和源极(s)等效为一个导通电阻，导通电阻值为 ron。5.放电电流idsg从p?端流向b?端，p?端的电压较高，当检测到p?端与 b?端的电压差(idsg*ron)达到某一限定值时，控制信号od的电压从诸如vdd变为vb?(b?端的电压)，从而关断m1，关断放电通路。控制信号oc可仍保持诸如vdd电位，m2可仍出于开启状态。6.类似地，电池正常充电时，m1、m2的栅极电压为vdd。电流从b??端流向p?端，p?端的电压较低，当b?端与p?端的电压差(ichg*ron)达到某一限定值，控制信号oc的电压从诸如vdd变为vb?，关断m2，切断充电通路。控制信号od可仍保持诸如vdd电位，m1可仍处于开启状态。7.在图1所示的电路结构中，在正常充电过程中，m1、m2的导通电阻ron的串联于电池及外部充电器的回路中，所以系统充电时，因m1 和m2的导通电阻引起的功率损耗ploss＝ichg*[2*ron]2，该功率损耗挺直改变成了系统的发热。这样，系统充电时因m1的m2的热损耗导致的温升为△t＝ploss/(c*m)，其中c为系统比热系数，m为系统质量。锂电池系统的平安工作温度通常在45℃左右，所以为了控制系统由于 m1和m2的导通电阻的热耗散带来的系统温度上升，必需控制充电电流的最大值ichg(max)＝ploss(max)/([2*ron]2)，这样充电电流变小，势必会延伸系统的充电时光。[0008]类似地，在放电过程中，m1和m2的导通电阻ron的串联于电池和负载的回路中，由m1和m2的导通电阻引起的热损耗 ploss＝idsg*[2*ron]2。该功率损耗降低了电池能量的利用效率，也限制了最大放电电流。系统放电时因m1和m2的热损耗导致的△t＝ploss/ (c*m)，其中c为系统比热系数，m为系统质量。锂电池系统的平安工作温度通常在45℃左右，所以为了控制系统由于m1和m2的导通电阻的热耗散带来的系统温度上升，必需控制充电电流的最大值idsg(max) ＝ploss(max)/([2*ron]2)。这样将会限制电池系统能够输出的最大电流。[0009]此外，还需要对电池的充放电电流举行检测，以保证电池的平安。在现有技术中，可以通过增强单独的检测电阻来举行实现，也可以通过检测充放电mosfet的导通电阻来举行实现。通过外接电阻的方式将带来增强管脚等不利的状况。通过检测mosfet的导通电阻来测量电流的方式中，各个mosfet的工艺和设计参数不一，并且其也会受到温度的干扰等。因此如何高精度地对电池的充放电电流举行检测为所要解决的技术问题。技术实现要素：[0010]为了解决上述技术问题之一，本藏匿提供了一种集成器件及电池/电池组管理芯片。[0011]按照本藏匿的一个方面，一种集成器件，所述集成器件用于检测和控制电池/电池组的充电电流和放电电流，其中通过第一衔接端和其次衔接端为所述电池/电池组举行充电和放电，所述集成器件集成有：[0012]充放电mos晶体管，所述充放电mos晶体管为一个mos晶体管，并且串联在所述电池/电池组与所述第一衔接端之间的或者所述电池/电池组与其次衔接端之间的电流路径上，通过控制充放电mos晶体管来控制所述充电和放电；以及[0013]电流检测mos晶体管，所述电流检测mos晶体管用于检测流过所述充放电mos晶体管的充电电流和/或放电电流。[0014]按照本藏匿的起码一个实施方式，所述充放电mos晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和其次寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和其次寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和其次寄生二极管的串联电路的一端衔接所述源极，并且所述串联电路的另一端衔接所述漏极，所述第一寄生二极管和其次寄生二极管的衔接点与所述衬底衔接。[0015]按照本藏匿的起码一个实施方式，还包括开关，所述开关的一端与所述衔接点衔接，所述开关的另一端与所述源极衔接，所述充放电 mos晶体管导通且所述开关导通从而所述源极与所述衬底连通，所述充放电