外文翻译-钼掺杂五氧化二钒薄膜的多电致变色特性和电致变色机理.docVIP

英文PDF原版，双击打开另存为即可 钼掺杂五氧化二钒薄膜的多电致变色特性和电致变色机理 摘 要 钼掺杂五氧化二钒薄膜是由从钼氧化铟锡基板的阴极电极位置掺杂制备五氧化二钒溶胶。作为阳极和阴极着色的电致变色材料，电沉积的钼掺杂五氧化二钒薄膜呈现出更好的循环稳定性、可逆性和多电致变色行为（橙色-黄色-绿色-蓝色）。在60-90％的光谱区内，就像可预期的那样，除了V5+和V4+过渡MO6+和V5+/V4+态之间加强三价电子间转移的结果。本文采用原子力显微镜，X射线衍射，X射线光电子能谱和电化学阻抗谱来研究钼的电致变色机理掺杂五氧化二钒薄膜。随着膜在增加，由于日益增加的结晶度不同的着色状态的表面粗糙度。层间距为主机五氧化二钒的变化以及C和Li元素的状态的变化验证有机溶剂的插入到宿主五氧化二钒和一些Li +离子进入的V-O层的层间。电致变色动力学过程表明， Mo的电致变色掺杂五氧化二钒膜可以被认为是伴随Li+离子和电子的插入/拔出的可逆还原/氧化过程。 前言 有半导体特性的电致变色物质可以在应用的电场或电流中改变其光学特性。电致变色反应主要体现在金属氧化物的转变，比如V2O5,WO3,MoO3取决于在智能窗口、信息演示、光栅、可变反应镜与可变热发射率散热器等。在这些电致变色金属氧化物转化过程中，V2O5显示阳极和阴极染色，基于V2O5膜的电致变色可以看作可逆的减少/氧化过程伴随着两倍插入/提取Li离子和电子。然而V2O5电致变色特性没有像其他的金属氧化物一样被迅速研究。最近，我们用溶液，溶胶描述钼掺杂V2O5膜的准备过程和钼掺杂V2O5的阴极电泳。在这篇文章中，通过阴极电泳准备的多种钼掺杂 V2O5膜的可电致变色物质将会被研究。而且，膜的电致变色机制将会被讨论。钼掺杂V2O5膜在不同染色区域的结构变化将会被AFM，XRD，XPS这几种方法研究。结合结构的变化，电化学阻抗谱被用于提供电致变色动力学进程的观察。 实验 采用溶胶—凝胶结合水热反应制备钼掺杂V2O5溶胶。首先，用过氧多钼酸溶液混合V2O5溶胶的30毫升，搅拌1小时以形成混合溶胶，然后将溶胶放置到高压釜中180摄氏度条件下保温12小时。钼与V2O5的摩尔比为5％。钼掺杂V2O5溶胶制备好后静置两到五天。 采用阴极电泳与电化学沉积法进行钼掺杂V2O5薄膜，使用Autolab PGSTAT30恒电位仪/恒电流仪连接到计算机，安排使用标准的三电极系统。对电极是1平方厘米的铂片，参比电极是饱和甘汞电极（SCE） ，ITO导电玻璃作为工作电极。钼掺杂V2O5薄膜通过施加.0.3相对于SCE固定电位的时间（200和20秒）预定长度恒电位沉积。沉积后的薄膜在室温下于空气中干燥。在空气烘箱中热处理120s后放置24小时后，将获得均匀的黄色薄膜。使用由扫描电子显微镜观察薄膜的剖视图从而测得膜厚，它们被发现是大约670纳米（厚膜）和300nm的（薄膜）。图2B和D（薄膜）表示厚膜图中出去阴影的部分。 循环伏安实验的电位范围为1.0至.1.0 V，扫描速率为50mV/S，电解液为0.5M LiClO4溶液制备的碳酸亚丙酯溶液。采用电化学阻抗谱测定潜在的使用峰值为10mV的交流扰动信号的峰值（P / P），涵盖了频率范围为100MHZ-10kHz。分析该电位，选自在同一溶液中的伏安行为。分别采用计时电致变色filmswere极化为1.0，0.3，.0.3，.0.5 与1.0V各30秒。通过紫外 - 可见分光光度计（UV-2550）研究钼掺杂V2O5薄膜的光学性质。 原子力显微镜测试，使用的Nanoscope III多模式扫描探针显微镜对薄膜的表面形貌进行观察。X-射线衍射以Cu-Kα辐射和石墨单色仪在一个的XPert粉末衍射仪（PANalytical公司，荷兰）进行实验。X射线光电子光谱法使用VGMultilab2000多技术电子能谱仪进行测量。在XPS光谱采用ALK？辐射（1486.6 eV）作为激励源。该发射的光电子的出射角是相对于表面法线调整为65?的数据，在室温下，通常在分析腔室的操作压力低于1×10-6 Pa.Internal的条件下光谱的结合能的校准是由使用不定的C1s信号的最大值在284.6 eV，同全宽半高溶液（FWHM）为0.8电子伏特。 结果与讨论 钼掺杂五氧化二钒的制备 图1a显示循环伏安法电沉积钼掺杂V2O5膜。钼掺杂V2O5膜的沉积态为黄色。在这一过程中循环中，膜在50次的循环中有相对稳定的循环伏安曲线，伴随着电致变色反应由橙-黄-绿-蓝。然而，在图1b在循环过程中内部电荷出去梯度递减。这一现象由于电荷不可返的被吸附在膜内，该现象可以认为是发生在嵌锂时期重大的结构改变。（图3通过AFM发现），钼掺杂V2O5膜膜的电致变色可以看成可逆的减少/氧化过程，伴随着两倍的吸收/提取锂