硅的制备及其晶体结构PPT课件.ppt

天津工业大学 立方晶体中常用的晶向和晶面 100晶向 110晶向 111晶向 天津工业大学 面心立方结构（FCC）中的晶面 （632）晶面 天津工业大学 金刚石结构中的晶面 天津工业大学 常见晶面的面密度 天津工业大学 之前我们讨论的都是完美的晶体，具有完美的周期性排列。 但是由于晶格粒子本身的热振动、晶体生长过程中外界的影响、外界杂质的掺入、外部电、机械、磁场等应力的影响等等因素，使得晶格粒子的排列在一定范围内偏离完美的周期性。这种偏离晶格周期性的情况就称为缺陷（defect）。 缺陷是不能完全避免的，实际中理想的完美晶体也是不存在的，虽然在某些情况下，缺陷的存在会造成一些危害，然而某些缺陷在半导体应用中有着非常重要的作用。 §1.5 硅晶体中的缺陷 天津工业大学 缺陷的分类 点缺陷 线缺陷 位错 面缺陷 层错 体缺陷 杂质的沉积 自间隙原子、空位、肖特基缺陷、 弗伦克尔缺陷 外来原子缺陷（替位或间隙式） 天津工业大学 点缺陷——空位（Point defects – Vacancies） 空位即晶格中组成粒子的缺失，如果一个晶格正常位置上的原子跑到表面，在体内留下一个晶格空位，则称为肖特基（ Schottky ）缺陷。 空位 : 点缺陷（point defect) ——晶格中点的范围内产生 空位是可以在晶格中移动的 天津工业大学 空位（ Vacancies ） 空位的产生需要打破化学键，因而需要一定的能量，空位的数量随温度的增加而增加。 在不考虑杂质的情况下（即本征intrinsic 情况下），含有N个粒子的晶体，在温度为T时空位的平衡浓度为： EV 是空位产生能量， kB 是Boltzmann常数，常温下肖特基缺陷浓度约为1*1010cm-3 ——阿累尼乌斯公式 天津工业大学 间隙原子（Interstitials） 晶格中存在着大量的空隙，如果有原子偏离了自身的晶格位置进入间隙位置，则成为了间隙原子。 显然，间隙原子也是一种点缺陷，当间隙原子和晶格原子大小相当时，会引起很大的晶格破坏，因而需要很大的能量。如果间隙原子的体积比晶格原子小的多，则可以稳定存在。 天津工业大学 弗兰克尔缺陷（Frenkel Defects） 通常空位和间隙原子是成对出现的，——离子离开它原来的位置进入间隙形成间隙离子，同时留下一个空位。这种缺陷成为Frenkel Defect，它仍然是电中性的。 Frenkel defects 可以由光照或者热激发，而且也可以自身复合消失，放出一定的能量（发光）。 天津工业大学 线缺陷——位错 Line Defects - dislocations 晶体中的位错可以设想是在外力的作用下由滑移引起的，滑移后两部分晶体重新吻合，滑移的晶面中，在滑移部分和未滑移部分的交界处形成位错。 Slipping 天津工业大学 刃位错（Edge dislocations） 滑移量的大小和反向可用滑移矢量B（Burgers’ vector ）来描述，当位错线与滑移矢量垂直时，称为刃位错。 悬挂键可以给出一个电子或从晶体中接受一个电子，从而对晶体的电学性质产生影响。 天津工业大学 螺位错 （Screw dislocations） 当位错线与滑移矢量平行时，称为螺位错。 天津工业大学 对一般晶体而言，沿某些晶面往往容易发生滑移，这样的晶面称为滑移面。构成滑移面的条件时该面上的原子面密度大，而晶面之间的原子价键密度小，且间距大。对于硅晶体来说，{111}晶面中，双层密排面之间原子价键密度最小，结合最弱，因此滑移常沿{111}面发生。 除了应力形变可以产生位错外，晶格失配也可以引起位错。若某一部分掺入较多的外来原子，就会使晶格发生压缩或膨胀，在掺杂和未掺杂的两部分晶体界面上就会产生位错，以减少因晶格失配产生的应力。这种位错称为失配位错。 螺位错的形成 天津工业大学 面缺陷——层错 （Side defects） 多晶的晶粒间界是最明显的面缺陷，晶粒间界是一个原子错排的过渡区。在密堆积的晶体结构中，层错又称为堆积层错，是由原子排列顺序发生错乱引起的。层错并不改变晶体的电学性质，但是会引起扩散杂质分布不均匀等影响。 天津工业大学 体缺陷 （Body defects） 当向晶体中掺入杂质时，因为杂质在晶体中的溶解度是有限的，如果掺入数量超过晶体可接受的浓度时，杂质将在晶体中沉积，形成体缺陷。这是一种三维尺度上的缺陷。