InAsGaSb超晶格光伏型红外探测器研究.doc.docxVIP

InAs/GaSb 超晶格光伏型红外探测器研究 InAs/Ga (In ) Sb超晶格具有第二类型能带排列方式，它的能带结构可以通 过改变InAs层和GaSb层的厚度或者设计适宜的势垒层得到调整， 从而使得这个 材料体系的禁带宽度有着很大的调整余地， 理论上可以通过调整它的禁带宽度使 得探测器的探测截止波长在2-30卩m之间。本文对InAs/GaSb二类超晶格红外探 测材料与器件进行了理论和实验研究。 利用包络函数近似的8带k ? p理论建模，应用有限元法对InAs/GaSb超晶 格红外探测的的能带结构进行了计算， 得出了超晶格能带在不同组分厚度， 周期 数以及InAs与GaSb厚度比时的值，