对存储器进行编程的方法及存储器与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 对存储器进行编程的方法及存储器与流程 1.本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种对存储器举行编程的办法及存储器。背景技术：2.对于三维存储器而言，存储器编程时光是一个关键性能指标。假如可以降低总的编程所采纳的脉冲数，就可以降低总的编程时光。对于slc/mlc/tlc/qlc(单电平单元、多电平单元、三电平单元、四电平单元)等任何一种模式下的三维存储器，可以用法十分高的编程电压，用一次/多次脉冲完成编程，但是这会导致迅速单元过度编程，致使牢靠性退化。3.为了保证牢靠性，可以用两次/多次脉冲编程的设置方式，完成编程和验证过程。但是这就增强了总的编程时光。因此，如何降低编程时光，是现有技术需要解决的问题。技术实现要素：4.本发明所要解决的技术问题是提供一种对存储器举行编程的办法及存储器，其能够大大降低存储器的编程时光。5.为了解决上述问题，本发明提供了一种对存储器举行编程的办法，其包括如下步骤：6.以第一编程电压对所述存储器举行第一次编程；7.验证第一次编程结果；8.统计第一次编程的失败位数，并以其次编程电压对所述存储器举行其次次编程，所述其次编程电压大于所述第一编程电压；9.推断所述第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证其次次编程结果；10.统计其次次编程的失败位数，并推断所述其次次编程的失败位