电子束蒸发镀膜系统的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 电子束蒸发镀膜系统的制作方法 1.本有用新型涉及精密加工技术领域，特殊涉及一种电子束蒸发镀膜系统。背景技术：2.电子束蒸镀是利用加速电子轰击镀膜材料，电子的动能转换成热能使镀膜材料加热蒸发，并成膜。电子枪有直射式、环型和e型之分。电子束加热蒸镀的特点是能获得极高的能量密度，最高可达109w/cm2，加热温度可达3000～6000℃，可以蒸发难熔金属或化合物。但是电子束加热蒸镀的高温简单造成将制成坩埚的材料随靶材一起被蒸镀并散发至基片上，造成污染。另外，在超高真空环境下举行电子束的蒸镀，需要十分精密的加工工艺，若需要蒸镀多种靶材时，需要更换坩埚或设备，简单降低真空环境的密封性，具有一定的工艺失败风险。技术实现要素：3.本有用新型的目的在于提供一种电子束蒸发镀膜系统，以解决现有的电子束加热蒸镀简单造成污染的问题。4.为解决上述技术问题，本有用新型提供一种电子束蒸发镀膜系统，包括：5.坩埚基座，其上表面布置有多个坩埚接口，其中所述坩埚接口被配置为承载靶材；6.水冷罩，其布置在坩埚基座处并且被配置为对坩埚基座举行水冷；7.电子束放射装置，其被配置为第一位置放射电子束；以及8.旋转系统，其被配置为带动水冷罩和坩埚基座旋转，以使所述坩埚接口所承载的靶材移动至第一位置。9.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，所述坩埚基座为圆盘形，所述坩埚接口在坩埚基座的表面上呈圆周分布。10.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，还包括：11.超高真空腔体，被配置为容置坩埚基座和水冷罩，以限制坩埚基座和水冷罩沿坩埚基座的径向移动；12.旋转系统，被配置为驱动坩埚基座和水冷罩沿坩埚基座的切向转动；以及13.固定系统，被配置为限制坩埚基座、水冷罩沿坩埚基座的轴向移动、以及限制旋转系统沿坩埚基座的轴向和径向移动。14.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，还包括：15.挡板，被配置为笼罩在所述坩埚基座的表面上，且在第一位置的下方处具有开口，以裸露出移动到第一位置下方的坩埚接口；16.挡板支撑柱，被配置为对挡板举行限位，以限制挡板沿坩埚基座的径向移动、以及沿坩埚基座的切向转动；以及17.挡板驱动轴，被配置为抵在挡板底面中央，驱动挡板沿坩埚基座的轴向移动。18.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，19.所述挡板和挡板支撑柱均位于超高真空腔体内；20.所述坩埚基座与水冷罩刚性衔接；21.所述固定系统与超高真空腔体的侧壁刚性衔接。22.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，所述旋转系统包括第一转动平台，所述固定系统包括第一固定平台；23.第一转动平台带动水冷罩旋转；24.所述第一固定平台限制第一转动平台沿坩埚基座的轴向和径向移动；25.第一转动平台包括逼近第一固定平台的侧端部和逼近水冷罩的平台部；26.所述平台部通过固定杆与水冷罩刚性衔接；27.所述侧端部与第一深沟球轴承的内圈固定，所述第一固定平台与第一深沟球轴承的外圈固定；28.第一固定平台与挡板支撑柱固定。29.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，旋转系统还包括：30.差分旋转导入器转动法兰，被布置在超高真空腔体外的大气环境内，其被配置为驱动所述第一转动平台沿坩埚基座的切向转动；31.差分旋转导入器固定法兰，被布置在超高真空腔体内的真空环境内，其与差分旋转导入器转动法兰及超高真空腔体密封衔接；以及32.转动法兰，被配置为与差分旋转导入器转动法兰刚性衔接，以驱动差分旋转导入器转动法兰沿坩埚基座的切向转动；33.差分旋转导入器转动法兰能够相对于差分旋转导入器固定法兰转动且维持密封衔接。34.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，所述固定系统还包括：35.其次固定平台，被配置为与差分旋转导入器固定法兰刚性衔接；36.主法兰，被布置在第一固定平台和其次固定平台之间，与超高真空腔体的侧壁刚性衔接；37.所述主法兰与其次固定平台刚性衔接；38.所述主法兰与第一固定平台通过法兰支撑柱刚性衔接。39.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，还包括：40.驱动导环，被配置为依次穿过主法兰、其次固定平台、差分旋转导入器固定法兰、差分旋转导入器转动法兰和转动法兰的中央位置；41.所述驱动导环通过螺纹结构与第一转动平台刚性衔接，所述驱动导环与转动法兰刚性衔接；42.进水管和出水管容置在驱动导环中，穿过驱动导环和第一转动平台后衔接至水冷罩；43.挡板驱动轴容置在驱动导环中，穿过驱动导环、第一转动平台和坩埚基座后衔接至挡板。44.可选的，在所述的电子束蒸发镀膜系统中，所述坩埚接口为凹槽，靶材被挺直放置于凹槽中，或45.在凹槽中放入钨质坩埚，将靶材放置在钨质坩埚中；46.其次轴承的内圈通过