电阻元件与压力传感器元件的各自的制造方法、压力传感器元件、压力传感器与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 电阻元件与压力传感器元件的各自的制造方法、压力传感器元件、压力传感器与流程 本发明涉及电阻元件的创造办法、压力传感器元件的创造办法、压力传感器元件、压力传感器、高度计、电子设备以及移动体。背景技术：在微机电系统(MEMS)(特殊是传感器装置)中，广泛采纳通过向单晶硅掺杂杂质从而形成电阻元件(压电电阻元件)的方式。作为这种电阻元件的创造办法，例如已知有如专利文献1所藏匿的那样，通过将硼加速至1MeV的能量并打入到n型硅基板中，从而于在基板表面上残留有n型层的状态下，形成p型的电阻层(电阻区域)的办法。通过利用这种办法而将电阻层埋入所形成的电阻元件，能够降低外部电场的影响。然而，因为在专利文献1所记载的办法中，电阻层被形成至比较深的位置，因此存在有如下问题，即，例如在将电阻元件用于极薄的隔膜的挠曲检测的状况下，将电阻层以偏向隔膜的一面的状态埋入，以便能够实施效率的检测是较为困难的。专利文献1：日本特开平7-131035号公报技术实现要素：本发明的目的在于，提供一种能够将极薄的电阻区域以埋入到极浅的位置的状态而形成的电阻元件的创造办法以及压力传感器元件的创造办法，此外，提供一种能够实现小型化以及高精度化的压力传感器元件，而且提供具备所涉及的压力传感器元件的压力传感器、高度计、电子设备以及移动体。此种目的通过下述的本发明来达成。应用例1本发明的电阻元件的创造办法的特征在于，包括：预备具有硅层的基板的工序，所述硅层具备n型或者p型的区域；通过向所述区域掺杂杂质从而形成电阻区域的工序；通过迅速热退火、闪光灯退火以及准分子激光退火中的随意一种退火来对所述电阻区域举行热处理的工序；通过使硅在所述电阻区域上外延生长从而形成笼罩层的工序。按照这种电阻元件的创造办法，因为通过迅速热退火、闪光灯退火以及准分子激光退火之中的随意一种退火来对电阻区域举行热处理，因此热预算(热过程)较低，从而能够在削减杂质的蔓延而将电阻区域留在较浅的位置的同时，使电阻区域活化。此外，因为在所获得的电阻元件中，电阻区域通过笼罩层而被笼罩从而被埋设，因此能够削减噪声向电阻区域的混入。特殊是，因为能够将笼罩层通过外延生长而形成，因此能够在将电阻区域的厚度设置得极薄的同时，将电阻区域埋设在极浅的位置处。应用例2在本发明的电阻元件的创造办法中，优选为，在形成所述笼罩层的工序中，用法乙硅烷气体来实施所述外延生长。由此，能够在较低的温度下形成笼罩层。因此，能够在形成笼罩层的工序中削减电阻区域蔓延的状况。应用例3在本发明的电阻元件的创造办法中，优选为，在举行所述热处理的工序中，所述热处理后的所述电阻区域的厚度处于0.1μm以上且2.0μm以下的范围内。由此，例如，在将电阻元件作为形变检测元件而设置在通过受压而挠曲变形的隔膜部中的状况下，即使将隔膜部设置得极薄，也能够使电阻区域偏向隔膜部的表面附近，从而能够使电阻元件的检测精度较为优异。应用例4在本发明的电阻元件的创造办法中，优选为，在形成所述笼罩层的工序中，所述笼罩层的厚度处于0.05μm以上且0.4μm以下的范围内。由此，例如，在将电阻元件作为形变检测元件而设置在通过受压而挠曲变形的隔膜部中的状况下，即使将隔膜部设置得极薄，也能够使电阻区域偏向隔膜部的表面附近，从而能够使电阻元件的检测精度较为优异。应用例5本发明的压力传感器元件的创造办法的特征在于，包括：用法本发明的电阻元件的创造办法来形成电阻元件的工序；通过对所述基板的一面侧举行蚀刻从而形成设置有所述电阻元件的隔膜部的工序。按照这种压力传感器元件的创造办法，在所获得的压力传感器元件中，即使将隔膜部设置得极薄，也能够使电阻区域偏向隔膜部的表面附近，从而能够使电阻元件的检测精度较为优异。此外，因为在所获得的压力传感器元件中，电阻区域通过笼罩层而被笼罩从而被埋设，因此能够削减噪声向电阻区域的混入。由此，能够实现所获得的压力传感器元件的小型化以及高精度化。应用例6本发明的压力传感器元件的特征在于，具有隔膜部，所述隔膜部具备：硅层；电阻元件，其具有在所述硅层内含有载流子的电阻区域，并产生对应于形变的电信号；所述电阻区域上的笼罩层，所述电阻区域的厚度相对于所述隔膜部的厚度处于5％以上且30％以下的范围内，所述隔膜部的所述笼罩层一侧的面和所述电阻区域的载流子浓度的峰值位置之间的距离相对于所述隔膜部的厚度处于2％以上且40％以下的范围内。按照这种压力传感器元件，即使将隔膜部设置得极薄，也能够使电阻元件偏向隔膜部的表面附近，从而能够使电阻元件的检测精度较为优异。此外，因为电阻区域通过笼罩层而被笼罩从而被埋设，因此能够削减噪声向电阻区域的混入。由此，能够实现压力传感器元件的小型化以及高精度化。