电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的方法与流程 电阻式存储器装置和操作电阻式存储器装置的办法1.本申请要求于2019年11月14日在韩国学问产权局提交的第10-2019-0146180号韩国专利申请的优先权权益，该韩国专利申请的藏匿通过引用所有包含于此。技术领域2.发明构思涉及一种存储器装置，更详细地，涉及一种电阻式存储器装置。背景技术：3.电阻式存储器装置(诸如，相变随机存取存储器(pram)、纳米浮栅存储器(nfgm)、聚合物随机存取存储器(poram)、磁性随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(feram)、电阻式随机存取存储器(rram)和闪存)是非易失性存储器装置。电阻式存储器装置不仅具有闪存的非易失特性，而且具有易失性存储器装置(诸如，动态随机存取存储器(dram))的高速特性。4.电阻式存储器装置的存储器单元可以按照编程数据的值而具有多种不同的电阻(例如，编程状态)中的一种。当读取存储在存储器单元中的数据时，可以通过将电压施加到存储器单元并将存储器单元的输出电流与多个参考电流举行比较来感测编程数据的值。因此，需要生成若干个参考电流。技术实现要素：5.发明构思的实施例提供通过将多个读取电压施加到位线并将多个读取电压与一个参考电压举行比较来确定编程状态的电阻式存储器装置以及操作该电阻式存储器装置的办法。6.按照发明构思的示例性实施例，提供了一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置包括存储器单元阵列、控制规律、电压生成器和读出电路。存储器单元阵列包括衔接到多条位线的多个存储器单元。每个存储器单元包括用于存储数据的可变电阻元件。控制规律被配置为接收读取指令并且基于读取指令生成用于生成多个读取电压的电压控制信号。电压生成器被配置为基于电压控制信号向多条位线挨次地施加多个读取电压。读出电路衔接到位线。控制规律通过控制读出电路将响应于多个读取电压而从多个存储器单元挨次地输出的电流的值与参考电流挨次地举行比较，来确定存储在多个存储器单元中的数据的值。7.按照发明构思的示例性实施例，提供了一种操作电阻式存储器装置的办法，所述办法包括：向电阻式存储器装置的多条位线施加第一电压；响应于第一电压而从电阻式存储器装置的存储器单元阵列感测第一电流；通过将第一感测电流与参考电流举行比较来确定存储器单元阵列的响应于第一电压而具有第一编程状态的第一存储器单元；向多条位线施加其次电压，其次电压与第一电压不同；响应于其次电压而从存储器单元阵列感测其次电流；以及通过将其次感测电流与参考电流举行比较来确定具有其次编程状态的其次存储器单元。8.按照发明构思的示例性实施例，提供了一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个合并存储器单元，所述多个合并存储器单元均包括电阻式存储器元件和电荷捕捉层；控制规律，接收读取指令并且基于读取指令生成用于生成多个读取电压的电压控制信号；电压生成器，被配置为基于电压控制信号向衔接到合并存储器单元的多条位线挨次地施加多个读取电压并且向电荷捕捉层施加到栅极电压；以及读出电路，包括被配置为确定电阻式存储器元件的第一编程状态的第一感测放大器和被配置为确定电荷捕捉层的其次编程状态的其次感测放大器。附图解释9.通过下面结合附图举行的具体描述，将更清晰地理解发明构思的实施例，在附图中：10.图1是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器系统的框图；11.图2是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器装置的框图；12.图3是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器装置的部分的示图；13.图4是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器单元的示图；14.图5是示出按照发明构思的示例性实施例的针对存储器单元的可变电阻元件的置位写入(set write)和复位写入(reset write)的曲线图；15.图6是示出当按照发明构思的示例性实施例的存储器单元是单层单元时存储器单元按照电阻的分布的曲线图；16.图7是示出当按照发明构思的示例性实施例的存储器单元是多层单元时存储器单元按照电阻的分布的曲线图；17.图8是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器单元阵列的电路图；18.图9是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器单元阵列的剖视图；19.图10是示出按照发明构思的示例性实施例的单元串的电路图；20.图11是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器单元阵列的电路图；21.图12是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器单元阵列的剖视图；22.图13是示出按照发明构思的示例性实施例的单元串的电路图；23.图14是示出按照发明构思的示例性实施例的存储器单元的栅极电压-漏极电流的曲线图；24.图15是示出按照发明