电阻式存储器装置的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 电阻式存储器装置的制作方法 电阻式存储器装置1.相关申请的交错引用2.本申请要求于2019年12月6日在韩国学问产权局提交的韩国专利申请no.10-2019-0161668的优先权，其所有藏匿内容通过引用合并于此。技术领域3.本发明构思涉及存储器装置，更详细地，涉及电阻式存储器装置。背景技术：4.电阻式存储器装置的示例包括相变随机存取存储器(ram)(pram)、纳米浮栅存储器(nfgm)、聚合物ram(poram)、磁性ram(mram)、铁电ram(feram)和电阻式ram(rram)。电阻式存储器装置有利地表现出动态ram(dram)的高速性和闪速存储器的非易失性。5.电阻式存储器装置的存储器单元的电阻分布对应于其中编程的数据。为了读取存储器单元，可以将给定的电流或电压施加到存储器单元，并且可以读取取决于存储器单元的电阻大小的电压，由此感测数据。然而，读操作的感测裕度可能受到与电阻式存储器装置的存储器单元衔接的字线和位线的寄生电容重量的负面影响。此外，寄生电容重量可能导致读/写干扰，例如，与被读取的存储器单元相邻的存储器单元的编程状态被转变。技术实现要素：6.按照本发明构思的一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括第一边缘位线；其次位线组，包括其次边缘位线；以及第一边界晶体管，被配置为当第一边缘位线被挑选时将非挑选电压施加到其次边缘位线。第一边缘位线被设置为在第一位线组中最逼近其次位线组，并且其次边缘位线被设置为在其次位线组中最逼近第一位线组。7.按照本发明构思的另一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括第一边缘位线；其次位线组，包括其次边缘位线；第一边缘晶体管，被配置为按照第一挑选信号将挑选电压施加到第一边缘位线；其次边缘晶体管，被配置为按照其次挑选信号将挑选电压施加到其次边缘位线；第三边缘晶体管，被配置为按照第一挑选信号将非挑选电压施加到第一边缘位线；以及第四边缘晶体管，被配置为按照其次挑选信号将非挑选电压施加到其次边缘位线。8.按照本发明构思的另一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一字线组，包括第一边缘字线；其次字线组，包括其次边缘字线；第一边界晶体管，被配置为当第一边缘字线被挑选时将非挑选电压施加到其次边缘字线；以及其次边界晶体管，被配置为当其次边缘字线被挑选时将非挑选电压施加到第一边缘字线。第一边缘字线被设置为在第一字线组中最逼近其次字线组，并且其次边缘字线被设置为在其次字线组中最逼近第一字线组。9.按照本发明构思的另一方面，提供了一种包括由解码器结构限定的第一位线组的电阻式存储器装置的操作办法。该办法包括：将非挑选电压施加到设置在第一位线组中的最外侧位置处的第一边缘位线；以及使包括在第一位线组中的第一中间位线浮置。10.按照本发明构思的另一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括多条位线；第一边缘位线，设置在第一位线组中的最外侧位置处；以及第一中间位线，包括在第一位线组中，第一中间位线与第一边缘位线相邻。衔接到第一边缘位线的晶体管的数量不同于衔接到第一中间位线的晶体管的数量。11.按照本发明构思的另一方面，提供了一种电阻式存储器装置，包括：第一位线组，包括多条位线；第一边缘位线，设置在第一位线组中的最外侧位置处；以及第一中间位线，包括在第一位线组中，第一中间位线与第一边缘位线相邻。通过晶体管衔接到第一边缘位线的多个节点中的起码一些节点不同于通过晶体管衔接到第一中间位线的多个节点中的起码一些节点。附图解释12.从下面结合附图的具体描述中，本发明构思的实施例将被更清晰地理解，附图中：13.图1是示出按照实施例的存储器系统的框图；14.图2是示出按照实施例的存储器装置的框图；15.图3a是示出按照实施例的存储器装置的一部分的示图；16.图3b是示出按照实施例的存储器单元的示图；17.图4a到图4c是示出按照实施例的存储器单元的示图；18.图5是在描述按照实施例的对存储器单元的可变电阻器执行的置位操作和复位写操作时用于参考的曲线图；19.图6a是示出单层存储器单元的示例性电阻分布的曲线图；20.图6b是示出多层存储器单元的示例性电阻分布的曲线图；21.图7是在描述按照实施例的存储器装置的操作时用于参考的流程图；22.图8是示出按照实施例的列解码器的框图；23.图9a和图9b是示出按照实施例的列解码器的电路图；24.图10是示出按照实施例的列解码器的电路图；25.图11是示出按照实施例的列解码器的电路图；26.图12是示出按照实施例的列解码器的电路图；27.图13是示出按照实施例的存储器装置的框图；28.图14是示出按照实施例的列解码器