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PAGE PAGE 1 电阻式存储器件及其操作方法与流程 电阻式存储器件及其操作办法1.相关申请的交错引用2.本申请要求于2019年12月23日提交的申请号为no.10-2019-0173231的韩国专利申请的优先权，其所有内容通过引用合并于此。技术领域3.本发明的各种实施例涉及一种半导体设计技术，并且更详细地，涉及一种电阻式存储器件的写入操作。背景技术：4.因为对具有高容量和低功耗的半导体存储器件的需求，已经对具有非易失性且不具有刷新性的下一代存储器件举行了讨论。下一代存储器件包括用法相变材料的相变随机存取存储器(pram)，用法诸如过渡金属氧化物的可变电阻材料的电阻式随机存取存储器(rram)、以及用法铁磁材料的磁性随机存取存储器(mram)。构成下一代半导体存储元件的材料的电阻可以按照供给给存储器件的电压或电流而变幻。即使电流或电压供给中断，不仅材料可以保持电阻，而且还可以确保高的操作速度。5.特殊地，在这样的电阻式存储器件之中，因为pram是非易失性的并且可以随机存取数据，因此其可应用于各种半导体系统和半导体存储器件。技术实现要素：6.本发明的各个实施例针对一种能够按照取决于写入数据的操作挨次来执行挑选性写入操作的电阻式存储器件，以及该电阻式存储器件的操作办法。7.按照本发明的实施例，一种电阻式存储器件的操作办法可以包括：接收写入数据和地址；推断所述写入数据处于第一状态还是其次状态；当所述写入数据处于第一状态时，向多个存储单元之中的与所述地址相对应的目标存储单元施加第一脉冲；以及当所述写入数据处于其次状态时，按照所述写入数据与预读取数据的比较结果而挑选性地向所述目标存储单元施加其次脉冲，所述预读取数据是从所述目标存储单元读取的预储存数据。8.按照本发明的实施例，一种电阻存储器件可以包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元；和外围电路，其适用于推断写入数据处于第一状态还是其次状态，当所述写入数据处于第一状态时，向所述存储单元之中的与地址相对应的目标存储单元施加第一脉冲，以及当所述写入数据处于其次状态时，按照所述写入数据与预读取数据的比较结果而挑选性地向所述目标存储单元施加其次脉冲，所述预读取数据是从所述目标存储单元读取的预储存数据。9.按照本发明的实施例，一种存储系统可以包括：控制器，其适用于提供写入数据和地址；和电阻式存储器件，其包括多个存储单元，并且适用于推断所述写入数据是处于第一状态还是其次状态，当所述写入数据处于第一状态时，向与所述地址相对应的目标存储单元施加第一脉冲，以及当所述写入数据处于其次状态时，按照所述写入数据和预读取数据的比较结果而挑选性地向所述目标存储单元施加其次脉冲，所述预读取数据是从所述目标存储单元读取的预储存数据。10.按照本发明的实施例，一种电阻式存储器件的操作办法可以包括：当写入数据处于设置状态时，向目标存储单元施加设置脉冲；当写入数据处于复位状态时，将所述写入数据与所述目标存储单元的预读取数据举行比较；以及当比较的结果指示所述预读取数据处于设置状态时，向所述目标存储单元施加复位脉冲。附图解释11.图1是示出电阻式存储器件的存储单元的暗示图。12.图2是用于描述电阻式存储器件的存储单元的相变材料的特性的曲线图。13.图3是用于描述电阻式存储器件的挑选性写入操作的流程图。14.图4是示出按照本发明的实施例的电阻式存储器件的框图。15.图5是示出图4的写入控制电路的具体框图。16.图6是用于描述按照本发明的实施例的电阻式存储器件的挑选性写入操作的流程图。17.图7是用于将常规的挑选性写入操作与按照本发明实施例的挑选性写入操作举行比较的比较表。18.图8是示出按照本发明的实施例的包括电阻式存储器件的计算系统的框图。详细实施方式19.下面将参考附图更具体地描述本发明的各种实施例。提供这些实施例使得本藏匿是彻底和完整的。本藏匿中提及的全部“实施例”是指本文藏匿的发明构思的实施例。所展现的实施例仅是示例，并不旨在限制本发明的范围。20.此外，应注重，本文所用法的术语仅用于描述实施例，而无意于限制本发明。如本文所用法的，单数形式也意图包括复数形式，除非上下文另外明确指出。还将理解的是，当在本解释书中用法时，术语“包括”、“包含”、“包括有”和/或“包含有”表示存在所述特征，但不排解存在或增强一个或更多个其他未解释的特征。如本文中所用法的，术语“和/或”表示一个或更多个相关列出项的随意和全部组合。还应注重，在本解释书中，“衔接/耦接”不仅是指一个组件挺直耦接另一组件，而且还指通过中间组件间接耦接另一组件。21.将理解，尽管术语“第一”、“其次”、“第三”等在本文中可用于描述各种元件，但是这些元件不受这些术语的限制。这些术语