晶圆制造工艺.pdfVIP

1、表面清洗 2、初次氧化 3、CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。 （1 ）常压 CVD (Normal Pressure CVD) （2 ）低压 CVD (Low Pressure CVD) （3 ）热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4 ）电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD) （5 ）MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) （6 ）外延生长法 (LPE) 4、涂敷光刻胶 （1 ）光刻胶的涂敷 （2 ）预烘 (pre bake) （3 ）曝光 （4 ）显影 （5 ）后烘 (post bake) （6 ）腐蚀 (etching) （7 ）光刻胶的去除 5、此处用干法氧化法将氮化硅去除 6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱 7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理 8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子，形成 N 型阱 9、退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层 10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅 11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层 12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区 13、热磷酸去除氮化硅， 然后用 HF溶液去除栅隔离层位置的 SiO2，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅 极氧化层。 14、 LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保 护层。 15、表面涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷(As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注 入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。 16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。 17、沉积掺杂硼磷的氧化层 18、濺镀第一层金属 （1 ）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。 （2 ）真空蒸发法（ Evaporation Deposition ） （3 ）溅镀（ Sputtering Deposition ） 19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮 化硅保护层。 20 、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置 21、最后进行退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性 晶圆制造总的工艺流程 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（ Wafer Fabrication ）、晶圆针测工序（ Wafer Probe ）、构装 工序（ Packaging ）、测试工序（ Initial Test and Final Test ）等几个步骤。其中晶圆处理工序和 晶圆针测工序为前段（ Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（ Back End）工序。 1、晶圆处理工序： 本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件 （如晶体管、 电容、逻辑开关等） ， 处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧 化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上 完成数层电路及元件加工与制作。 2 、晶圆针测工序： 经过上道工序后， 晶圆上就形成了一个个的小格， 即晶粒， 一般情况下， 为便于测试， 提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。 在用针测（ Probe ）仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗 颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍