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IGBT 损耗的计算步骤与方法
IGBT 损耗的计算步骤与方法 作者:微叶科技 时间:2015-09-08 17:50 国内外有
很多专家学者对 IGBT 器件的损耗模型进行了较深入的研究, 还将损耗模型主要分为两大类:基于物理结构的 IGBT 损耗 模型和基于数学结构的 IGBT 损耗模型。
基于物理结构的损耗模型通过分析 IGBT/DIODE 的 物理结构和内部载流子的工作情况, 采用电容、 电阻、电感、 电流源、电压源等一些相对简单的元件模拟出 IGBT 的特性, 利用仿真软件仿真 IGBT 在各种工作情况下的电压、电流波 形。从而计算得到 IGBT 的损耗。
基于数学方法的 IGBT 损耗模型与器件的具体类型 无关,它是基于大量数据的测量,试图寻找出功耗与各个因 素的数量关系。
然而,在工程实践中工程师一般不会消耗大量的时 间来进行计算,所以本文就是在介绍基本原理的基础上,参 考相应的资料结合实践给出合适的计算方法。
IGBT 典型的电压 /电流曲线( VCE/ICE )如图 1 所
示。这个曲线可以用门限电压加电阻电压叠加的方法来进行 线性化,即
(1)
式中, ICN 和 VCEN 为额定电流下的额定电压(由 制造商提供,不同的 IGBT 模块略有不同) 。
二极管的正向导通电压满足指数规律,但在工作范 围内,也可以近似为一线性方程:
(2)
式中,VFN为额定电流下的二极管电压降; 为VFO
为门槛电压,典型值为 0.7V。
图 1 IGBT 模块 IGBT 典型的电压 /电流曲线( VCE/ICE )
1. 损耗计算
由于二极管的计算方法与 IGBT 基本相同, 所以下 文主要分析的是 IGBT 部分。假设电源的开关波形如图 2 所
示。
图 2 电源开关波形
(1)功率损耗
计算 IGBT 的功率损耗,首先来计算 1 个脉冲中的 损耗,单个脉冲中包括导通损耗和开关损耗,如图 3 所示
图 3 单个脉冲 IGBT 的功率损耗
1)使用 VCE(sat ), VSIC 特性曲线计算导通损耗, 一般采用TJ=25 C时的特性曲线。
(3)
2)开关损耗
开关损耗可用实际电压电流波形在开通和关断时间 内的积分来求得。(4)
式中, n 为分割数,如图 4 所示,将 ta 至 tb 之间 的区间 n 等分,计算每个区间的平均功耗, Eoff 采用同样的 计算方法。
图 4 开关损耗积分时间区域 ta~tb
由公式( 3)和公式( 4)可以得到一个脉冲中的损 耗为
E1=Esat+Eon+Eoff ( 5)
2. 平均功率的计算
1 个脉冲内平均功耗为
用矩形波形近似得到图 5 所示的电源驱动波形图 5 矩形波形示意图
计算 tw2 期间内的平均功耗,如图 6 所示,即
(7)
式中, N 为 tw2 期间内的脉冲个数。
图 6 矩形平均功耗波示意图
计算电源整体的平均功耗,如图 6 所示,即
(8)
了解 IGBT 功率损耗的计算,对测量电源的稳定型、 预测使用寿命有重要的作用,由于 IGBT 的型号各异,工程 人员在使用 IGBT 时,一定要参考其使用手册中关于功率损 耗的部分,在充分了解器件特性的前提下,结合设计对象, 对产品的损耗进行计算。
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