第一章 光折变效应.ppt

* * * * * * * * * 第一章 光折变效应 饱和非线性（漂移型和光生伏打型） 空间非局域性（扩散型） 非瞬时响应 可逆性（可擦除） 短波长的光折变灵敏度高 1.3 光折变效应的主要特征 1、饱和非线性（漂移型和光生伏打型） 1）折射率变化?n 依赖于I/Id的比值。 t (s) ?n 未饱和前近似正比于I/Idt，可通过非相干背景辐照控制暗辐照的大小 I (mW) 饱和值?ns随入射光强增加而增加，当入射功率小于20 mW时，近似正比于sqrt(I) 1.3 光折变效应的主要特征 只要辐照时间足够长，弱光（毫瓦、微瓦）也可以获得一定的?n t (s) I (mW) 2）光折变效应起因于光强的空间调制而不是绝对光强。 强光非线性（ 1010V/m），价键电子云在光场作用下形变，引起激发态能级或跃迁矩阵的微扰，从而对光的传播产生影响 光强大小主要影响光折变中载流子的激发速度和空间电荷场的建立时间，从而影响光折变进行的速度和饱和值 允许在低功率入射光下，用灵活的时间尺度来观察各种非线性光学效应 1、饱和非线性（漂移型和光生伏打型） 1.3 光折变效应的主要特征 * 折射率改变的最大值处并不对应光辐照最强处，空间相位移??0。 扩散型?=?/2 相位移的存在允许两束相干光间发生稳态的能量转移。 增益系数 ? 正比于sin?，所以?= ?/2时，光束之间发生最大的能量转移。 2、空间非局域性（扩散型） 1.3 光折变效应的主要特征 * 光折变响应时间： 光强越强，响应时间越短； 暗电导越小，暗存储时间越长。 InP:Fe ~ 毫秒 KTN,BSO ~ 十几小时 LN ~几年 S 光激发截面 3、非瞬时响应 1.3 光折变效应的主要特征 * 均匀光辐照(光电导)或者加热(暗电导)即可擦除?n。 小光斑中的折射率改变能被大尺寸的光斑有效擦除。 5、短波长的光折变灵敏度高 短波长光的光子能量大，可激发更深能级的光生载流子。 紫外光/脉冲光（双光子吸收） 4、可逆性（可擦除） 1.3 光折变效应的主要特征 * （1）电光系数足够大的电光材料中均存在光折变效应 1.4 光折变效应存在的条件 电光介质中，n随E变化很小，可以用泰勒级数展开 相对介质隔离率（ ），可写为： * （1）电光系数足够大的电光材料中均存在光折变效应 1.4 光折变效应存在的条件 （2）光生载流子来源 杂质或缺陷能级 / 本征能级 Fe2+ Nb4+ 入射光子能量足以激发光生载流子，此辐照光的频率或波长应当分别满足杂质或缺陷能级的电离能和禁带宽度的要求。 不具有对称中心Pockels Effect 泡克尔系数 所有介质Kerr Effect 克尔系数 光折变效应中，E为Esc即空间电荷场 * 1.4 光折变效应存在的条件 （3）产生光折变效应的辐照光 （4）引起光折变效应的电场（非扩散机制） 相干光（体相位栅） / 非相干光 外加电场：BGO, BSO, SBN 内电场（如光生伏打场）: LN 电光张量：P8-10 r (3阶张量) * 由Kukhtarev等人提出的描述光折变效应的理论模型，可定量说明所观察到的主要光折变现象。 1.5 带输运模型及空间电荷场 (band transport model) 假定光折变介质含有一定类型的杂质和缺陷，所有的施主杂质占据同一个深能级（单能级模型）。（1）这些施主杂质通过吸收光而电离，光电子被激发至导带，可通过扩散或漂移在导带中运动。（2）被电离的施主成为未被电子占据的空态，它们可作为俘获光电子的陷阱。（3）当光电子迁移至暗区时，被该处的陷阱复合，形成空间电荷的分离。 （4）分离的空间电荷在晶体内建立了空间电荷场，空间电荷场通过电光效应在晶体内引起与入射光强的空间分布相对应的折射率变化。 * 带输运模型的四个方程： 1.5 带输运模型及空间电荷场 (band transport model) 被电离施主数密度 速率方程 光电子连续性方程 电流密度方程 高斯定理 * 1.5 带输运模型及空间电荷场 (band transport model) 一维稳态情况下： 设外加电场沿 x方向，入射光沿 z方向传播。边界条件为 空间电荷场为： 漂移 扩散 光生伏打 * 空间电荷场为： 漂移 扩散 光生伏打 1.5 带输运模型及空间电荷场 (band transport model) 开路时：I? = 0, 仅考虑光生伏打效应的影响 可见，空间电荷场和光生伏打场数值相等，符号相反 * 思考题一： 1.6 光折变