等离子体特性及其应用技术.docVIP

等离子体特件及其应用技术 目前，低温等离了体技术已在材料、微电了、化工、机械及环保等众多学科领域中 得到较广泛地应用，并已初步形成?个崭新的工业-等离了体工业。例如，在材料学科中， 采用等离了体物理气相沉枳技术和化学气相沉积技术可以合成一些新熨功能薄膜材料； 在微电子工业中，采用等离了体刻蚀技术可以对超大规模集成电路进行加工：在化工学 科中，采用等离了体聚介技术，可以制备出?些高分了?薄膜材料。可以说，“等离了体” 这个名词与现在的高新技术领域已联系在?起。低温等离了体技术之所以得到如此广泛 地应用，在很大的程度上得益于人们对低温等离了体的物理过程以及等离了体与固体材 料表面相互作用机理等方I侨的研究。木章在具体讨论等离子体与固体表浙的相耳作用过 程之前，先对等离子体的概念、特性及其应用技术做以简也介绍。 1.1等离了体特性 通常称等离子体是“物质的第四态”，它是山许多可流动的带电粒了组成的体系。通 常我们在H常生活中很难接触到等离了体，其原因是在正常情况下物质是以尚态、液态 及气态形式存在的。实际上，在自然界中99%的物质是以等离了体状态存在的。我们的 地球就是被?弱电离的等离了体（II卩电离层）所包围。在太空中的?些星体及星系就是 山等离了休构成的，如太阳就是一?氮等离了体球。当然，人们也可以在实验室中采用不 同的气体放电方法来产生等离子体。用于材料表面改性或合成新材料的等离子体，一般 都是出低气压放电产生的。 等离了体的状态主要取决丁?它的化学成分、粒了密度和粒了温度等物理化学参暈， 其中粒子的密度和温度是等离了体的两个报基木的参最。对于实验室中采用气体放电方 式产生的等离了体主要是由电了、离了、中性粒子或粒了团组成的。因此，描述等离了 体的密度参数和温度参数主要有：电了的密度-和温度离了的密度“和温度「以 及中性粒了的密度叫和温度T。在 般情况下，为了保证等离子体的宏观电中性，要 求等离了体处在平衡状态时，电了密度近似地等于离子密度nc? n- n0O 口J以用电 离度 /]=——-— (1.1-1) 这个物理参量来描述等离了体的电离程度。低气斥放电产生的等离子体是一个弱电离的 等离了体(〃＜〈1 ) O当〃 =1时，为完全电离等离了体。对于实验室中采用低气压放电 产生的等离子体，电子的温度Te约为1?10eV ( leV=11600K ),远大于离子的温度T’(只 有数百K,基木上等于中性粒了的温度)。有时称这种等离了体为冷等离了体(Cold Plasma)。 等离了体在宏观上是呈电中性的。但如果受到某种扰动，其内部将会出现局域电荷 空间分离，产生电场。如在等离了体中放入 啼正电量q的小球，山于该电荷的静电场 的作用，它将対等离子体中的电子进行吸引，而対离子进行排斥。这样，在它的周围将 形成一个帯负电的球状“电了云”。这时，帯电小球在等离子体中产生的静电势不再是 ?简爪的裸库仑势，而是?屏蔽的库仑势，如： (1. 1-2)(1. 1-3)V(r) = 5-exp(-r/2D) (1. 1-2) (1. 1-3) 其中 kBTe 4^n oe? 为德拜屏蔽长度(Debye Shielding Length) . nJ见电了云对带电小球产生的库仑势(或 场)起着屏蔽作用，这种现象被称为等离了体的德拜屏蔽。德拜屏蔽长度是等离了体的 ?个巫要物理参暈。为了保证?个带电粒了系统是?个等离了体，通常要求莫空间尺度L 要远大于徳拜屏蔽长度，即：L? .对于典型的辉光放电等离了体，有 n0 = 1010cm3, kBTc = leV,这样 Zp = 7x 10_3cm o 等离了体另一?个特性是其振荡性。一般地，处于平衡状态的等离了体在宏观上其密 度分布是均匀的，但从微观上看，其密度分布是有涨落的，口这种密度涨落具有振荡性。 为了说明等离了体密度涨落的振荡性，不妨可以假设等离了?体是仅山电了和离子组成的。 由于离了的质量较币，可以看成离了是不动的，构成一均匀分布的正电荷的木底。如果 在某点电了的密度突然受到扰动，相对正电荷的离了木底有?个移动，造成电荷空间分 离。但这种电荷空间分离不能继续进行下去，因为库仑力的作用将试图把电了拉冋到其 原来的平衡位置，以保持等离子体的电中性。然而，由于电子具有惯性，它们到达平衡 位置时并不能停止下來，而是朝另?个方向继续运动，造成新的电荷空间分离。这样? 來，库仑力又要试图把它们拉回到平衡位置，依此下去…。这种现彖即称为等离了体的 振荡(Plasma Oscillation )。等离子体的振荡频率为 (1.1-4) 实际上，上面我们讨论的是等离子体屮的电了密度的振荡性。由于离了?的质最远大于电 了的质M:, W此离了的振荡频率相对很小。所以，通常讲等离了?体的振荡实际上就是指 电子的振荡。0p是等