cmos门电路工作原理介绍.pptxVIP

第1页/共28页DBG-+iD-+SDGSN+N+P型衬底(B)一、MOS管的开关特性 1. MOS管的结构和工作原理当vDS 0，但 vGS= 0 时，D-S间不导通， iD= 0 。当vDS 0， 且vGS vGS(th) (MOS管的开启电压）时，栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。这个反型层构成了D-S间的导电沟道，有 iD流通。上页下页返回第一页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第2页/共28页iD/mAiD/mAiD+vDS+vGS=UTvGSOvGS/V--O转移特性曲线vDS/V共源接法输出特性曲线2. MOS管的输入特性和输出特性共源接法下的输出特性曲线又称为MOS管的漏极特性曲线。表示iD与vGS关系的曲线称为MOS管的转移特性曲线。上页下页返回第二页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第3页/共28页截止区iD/mA漏极和源极之间没有导电沟道，iD≈0。vGS=UTOvDS/V恒流区可变输出特性曲线可变电阻区电阻区iD的大小基本上由vGS决定，vDS的变化对iD的影响很小。当vGS一定时，iD与vDS之比近似等于一个常数，具有类似于线性电阻的性质。漏极特性曲线分为三个工作区。恒流区截止区上页下页返回第三页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第4页/共28页VDDRD+iDvO+vI--3. MOS管的基本开关电路当vI =vGS vGS(th) 时， VOH ≈VDD ，D-S间相当于一个断开的开关。当vI vGS(th) 并继续升高， VOL ≈0，D-S间相当于一个闭合的开关。若参数选择合理输入低电平时MOS管截止，输出高电平。输入高电平时MOS管导通，输出低电平。上页下页返回第四页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第5页/共28页DGRONCIDGSCI截止状态导通状态S4. MOS管的开关等效电路CI代表栅极的输入电容， CI的数值约为几皮法。RON为MOS管导通状态下的内阻，约在1k?以内。上页下页返回第五页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第6页/共28页CMOS反相器的电路图二、CMOS反相器的电路结构和工作原理1. 电路结构当vI = VIL= 0时，T1导通，T2截止，输出为高电平VOH ≈ VDD 。当vI = VIH= VDD 时， T2导通，T1截止，输出为低电平VOL ≈ 0。 输入与输出之间为逻辑非的关系。CMOS反相器的静态功耗极小上页下页返回第六页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第7页/共28页vOBAVDDVGH(th)PVGH(th)NCDOvIVDDCMOS反相器的电压传输特性2. 电压传输特性AB段：T1导通， T2截止，VO = VOH ≈ VDD。T1的开启电压CD段：T2导通， T1截止，VO = VOL ≈ 0。T2的开启电压BC段：T1 、T2同时导通，为转折区。阈值电压VTH上页下页返回第七页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第8页/共28页ABCDO3. 电流传输特性AB段：T2截止漏极电流几乎为0CD段：T1截止漏极电流几乎为0BC段：阈值电压附近电流很大CMOS电路不应长时间工作在BC段。上页下页返回第八页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第9页/共28页vOVDD=10V0I4. 输入噪声容限VDD=15V适当提高VDD，可提高CMOS反相器的输入噪声容限。上页下页返回第九页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第10页/共28页输入保护电路输入保护电路C1C1RSRSC2C274HC系列的输入保护电路CC400系列的输入保护电路三、CMOS反相器的静态输入、输出特性1. 输入特性因为MOS管的栅极和衬底之间存在输入电容，绝缘介质又非常薄，极易被击穿，所以必须采取保护措施。上页下页返回第十页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第11页/共28页iIiI -0.7V -0.7VvIvIOOVDD+0.7VVDD+0.7VCC400系列的输入特性74HC系列的输入特性输入特性曲线上页下页返回第十一页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第12页/共28页VOLVDD=5V 10V15VIOLOCMOS反相器的低电平输出特性2. 输出特性低电平输出特性当输出为低电平时，工作状态如下图所示。上页下页返回第十二页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第13页/共28页VOHVDD15V10VVDD=5VOIOHCMOS反相器的高电平输出特性高电平输出特性当输出为高电平时，工作状态如下图所示。上页下页返回第十三页，编辑于星期五：十四点 三十六分。第14页/共28页四、其他类型的CMOS门电路1.其他逻辑功能的CMOS门电路在CMOS门电路的系列产品中，除反相器外常用的还有：与非门、或非门、与门、或门、与或非门、异或门等几种。上页下页返回第十四页，编辑于星期五：