igbt驱动技术概述.pptxVIP

第1页/共70页内容简介IGBT驱动国内外典型IGBT驱动器概述所内IGBT驱动现状及发展计划 第一页，编辑于星期六：一点 四十三分。第2页/共70页1 IGBT的驱动 1.1 IGBT驱动的概念与意义1.2 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1.3 IGBT驱动电路基本要素1.4 IGBT驱动设计中需考虑的一些问题第二页，编辑于星期六：一点 四十三分。第3页/共70页1.1 IGBT驱动的概念与意义--概念 驱动电路——主电路与控制电路之间的接口基本功能是将控制电路发出的开关信号转变为适合IGBT驱动的信号，对IGBT的开关进行控制器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现第三页，编辑于星期六：一点 四十三分。第4页/共70页1.1 IGBT驱动的概念与意义--意义影响决定IGBT的开关损耗 IGBT 的损耗由开关损耗和开通损耗 组成，其中对于固定的装置来说，开通损耗基本上是固定的，但开关损耗是可控的直接影响IGBT元件的可靠性，从而影响IGBT变流装置的可靠性 IGBT元件的电气保护基本上全都设计在IGBT驱动中，如过流短路保护、过压保护、软关断等。第四页，编辑于星期六：一点 四十三分。第5页/共70页1.1 IGBT驱动的概念与意义--意义决定IGBT装置的最大输出功率 IGBT元件性能可以发挥的程度直接由IGBT驱动决定，例如，对于1200A/3300V的IGBT元件，好的驱动电路能使其以1200A持续运行（散热允许），但一般我们只能让其在800～900A时就开始保护，否则，难以确保真正发生过流时是否能可靠关断IGBT。第五页，编辑于星期六：一点 四十三分。第6页/共70页1.1 IGBT驱动的概念与意义--意义总而言之，对于发展国内IGBT变流器技术来说，开发一种先进IGBT门极驱动单元GDU是非常必要且迫切的。 第六页，编辑于星期六：一点 四十三分。第7页/共70页1.2 绝缘栅双极晶体管IGBT1.2.1 IGBT的结构和工作原理1.2.2 IGBT的静态特性1.2.3 IGBT的动态特性1.2.3 IGBT的擎住效应安与全工作区第七页，编辑于星期六：一点 四十三分。第8页/共70页1.2.1 IGBT的结构和工作原理三端器件：栅（门）极G、集电极C和发射极E内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 RN为晶体管基区内的调制电阻第八页，编辑于星期六：一点 四十三分。第9页/共70页2.2.1 IGBT的结构和工作原理IGBT的结构结构图a表明， IGBT是N沟道VDMOSFET与GTR组合 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结J1 使IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管第九页，编辑于星期六：一点 四十三分。第10页/共70页2.2.1 IGBT的结构和工作原理 IGBT的工作原理 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器通断由栅射极电压uGE决定导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断第十页，编辑于星期六：一点 四十三分。第11页/共70页1.2.2 IGBT的静态特性转移特性开启电压UGE(th)—IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25?C时，UGE(th)的值一般为2~6V第十一页，编辑于星期六：一点 四十三分。第12页/共70页1.2.2 IGBT的静态特性IGBT的输出特性IGBT 导通时，流过其集电极的电流越大， Vce的静态压降也越大。根据这个关系，我们可以通过检测Vce的压降来对IGBT 元件进行过流保护。第十二页，编辑于星期六：一点 四十三分。第13页/共70页1.2.3 IGBT的动态特性 第十三页，编辑于星期六：一点 四十三分。第14页/共70页1.2.3 IGBT的动态特性IGBT的开通过程?? 与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行开通时间ton——td(on) (开通延迟时间)与tr (电流上升时间)之和uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1 为IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程；tfv2为MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程 第十四页，编辑于星期六：一点 四十三分。第1