简述薄膜材料特征举例说明薄膜材料用途不少于4例.docVIP

简述薄膜资料的特色举例说明薄膜资料的用途许多于4例 简述薄膜资料的特色举例说明薄膜资料的用途许多于4例 简述薄膜资料的特色举例说明薄膜资料的用途许多于4例 简述薄膜资料的特色举例说明薄膜资料的用途许多于 4 例 【篇一：简述薄膜资料的特色 ,举例说明薄膜资料的用途(许多于 4 例)】 第四章薄膜资料与工艺 1、电子封装中至关重要的膜资料及膜技术 1.1 薄膜和厚膜 1.2 1.3 成膜方法 1.4 电路图形的形成方法 1.5 膜材 料 2、薄膜资料 2.1 导体薄膜资料 2.2 电阻薄膜资料 2.3 介质薄膜材 料 2.4 功能薄膜资料 1、电子封装工程中至关重要的膜资料及膜技术 薄膜和厚膜电子封装过程中膜资料与膜技术的出现及发展，源于 与电器、电子装臵设施向高性能、多功能、高速度方向发展及 信息办理能力的急速提高 系统的大规模、大容量及大型化 要求构成系统的装臵、零件、资料等轻、薄、短、小化 晶体管普及以前 真空电子管的板极、栅极、灯丝等为块体资料，电子管插在管 座上由导管连结， 当时并没有膜可言 20 世纪 60 年月，出现薄膜制备技术 在纸、塑料、 陶瓷上涂刷以致真空蒸镀、溅射金属膜，用以形 成小型元器件及电路等 进入晶体管时代 从半导体元件、细小型电路到大规模集成电路，膜技术便成为 整套工艺中的核心与要点。 1、电子封装工程中至关重要的膜资料及膜技术 薄膜和厚膜与三维块 体资料比较：一般地，膜厚度很小，可看作二维 膜又有薄膜和厚膜之分 经典分类： 制作方法分类：块体资料制作的（如经轧制、锤打、碾压等） —— 厚膜 膜的构成物一层层聚积而成 —— 薄膜。 Ａｌ特色 Ｓｉ基ＩＣ常用导体资料 与作为ＩＣ保护膜的ＳｉＯ 间的 附着力大对于ｐ型及ｎ型Ｓｉ都能够形成欧姆接触 可进行引线键合电气特征及物理特征等也比较适合 价钱廉价 作为ＩＣ用的导体广泛采纳 随环境、氛围温度上涨，Ａｌ与Ａｕ发生相互作用，生成金属 间化合物，以致接触电阻增添，从而发生接触不良 当Ａｌ中经过高 密度电流时，向正极方向会发生Ａｌ的迁徙， 即所谓电迁徙 在５００以上，Ａｌ会浸入下部的介电体中 在ＭＯＳ元件中难以使用 只管 Ａｌ的电阻率低，与Ａｕ伯仲之间，但因为与水蒸气及氧 等发生反响，其电阻值会慢慢高升。 al 与 au 会形成化合物 al 端子与 au 线系统在 300 下搁置 2～3ｈ，或许使氛围温度高升 到大概４５０，此间的相互作用会快速发生， 以致键合部位的 电阻高升 此时，上、基层直接接触， au 、al 之间形 成脆、弱 aual al 等反响扩散层。造成键合不良采纳 au －au 组合或 al －al 组合。在 au 、 al 层间设置 pd 、pt 等中 间层，可防备反响扩发散生，形成稳固的膜构造 存在电迁徙 al 导体中流过电流密度超出 或多或少地发生电迁徙现象氛围温度上涨，电迁徙加快，短时间 内即可惹起断线 al 导体膜在大概 300 长时间搁置，会发生 “竹节化 ”， 即 出现结晶化的节状部分和较瘦的杆状部分 进一步在 500 以上搁置， al 会浸入到基层的 sio 中，惹起 si 基板上的 ic 短路 所以，使用 al 布线的ＭＯＳ器件，一定兼备到附着力、临界电压、氧化膜的稳固 性、价钱等各种要素，对资料进行选择。 Ａｌ－Ｔｉ系１００～１５０即形成Ａｌ与Ｔｉ的化合物，使膜层 阻 值增添 成膜后造成膜异样的主要原由一是因为严重的热失配，存 在剩余应力状态，膜层从往常 的基板或许Ｓｉ、ＳｉＯ 膜表面剥离， 造成电路断线二是因为物质的扩散迁徙惹起，此中包含电迁徙、热 扩散、 克根达耳效应、反响扩散等。 造成物质扩散迁徙的外因有高电流密度 高温度 大的温度梯度 接触电 阻等， 特别是几个要素联合作用时，成效更显然 造成物质扩散迁徙 的内因有构成物质的系统 晶粒度 内部缺点 Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ系电流 密度高，造成膜内晶粒不停长大，即自觉热效应与热 办理拥有相同 的成效 往常状况下，导体温度上涨会加快组元之间的相互扩散， 形 成反响扩散产物，造成机械强度降落及电阻高升等，反 过来又造成 温度高升，恶性循环，急速造成损坏 如超出１０ 的高电流密度是造 成导体劣化的主要体制之一 该体制是：导体中大批较高能量的传导 电子对原子的动量传达 作用，使其朝阳极方向迁徙 当原子从导体中 的某一位臵走开时，会在该位臵留下空位 空位浓度取决于某一场所 空位流入量加上产生量与流出量之差。 若此差值为正，则造成空位存储，空位存储意味着导体的劣化。 克根达耳效应因为扩散组元之间自扩散系数不一样惹起的 自扩散系数 大的组元的扩散通量大，自扩散系数小的组元 的扩散通量小 随扩散 进行，若导体宏观缩短不完整，则本来自扩散系数 大的组元含量高