第一章 微电子技中图番形加工的方法.pptVIP

一、扩散 扩散过程包括两个步骤，首先是通过气相沉积或涂覆的方法，在基片表面上覆盖一层所希望的掺杂剂，使基片表面上合有一定量的杂质；然后进行驱动扩散，使杂质原子向晶体内运动。这就是常说的两步扩散法。前者称为预沉积，后者称为再分布。杂质原子分布的形状主要由杂质原子在基片表面的状况而定，而扩散深度主要取决于温度和扩散时间。 替位式扩散和间隙式扩散 扩散运动是微观粒子(原子或分子)热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量，能够克服某种阻力而进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。这些杂质原子不是代替硅原子的位置就是处在晶体的间隙中，因此扩散也就有替位式扩散和间隙式扩散两种方式，如图2—17所示。 替位式扩散。杂质原子通过从一个格点位置跳到下一个格点位置，替代了原来的晶格原子而达到在晶格中移动。为此，要求相邻的位置必须是空的，也就是说，要产生替位式扩散必须有空位。由于空位的平衡浓度相当低，故可认为替位式扩散比间隙式扩散慢得多。实际情况确实如此。 间隙式扩散。处于晶格原子之间空位的杂质原于称为间隙原子，杂质原子由一个间隙位置跳到下一个间隙位置而在晶格中移动，它们既可以从格点位置开始移动， 也可以从间隙位置开始移动，最终可停在两种位置中的一种位置上。间隙式扩散要求杂质从一个间隙位置跳到相邻的另一个间隙位置，而且杂质原子只有处于间隙位置时才能以显著的速率在晶体中移动。 二、离子注入 离子注入就是先将杂质原子电离，再由电场加速，使其获得很高的能量(30—100KeV)，然后“注入”到晶体中，再经过退火使杂质激活而达到掺杂的目的。离子注入多用于浅结高精度掺杂。磁偏转质量分析器(90°分析磁体)消除了不需要的某些离子，经偏转与聚焦后，离子束瞄准半导体靶，使高能离子渗透到半导体表面。进入半导体内的高能离子与靶原子核和电子碰撞后失去其能量，最后静止下来。 离子注入的优点及其问题 ?离子注入的优点是它具有很好的可控性和重复性。通过测量离子流和注入时间，可以确定硅中杂质离子的数量，从而改变杂质的浓度。因此，通过调节加速电压来控制杂质分布就可能优于高温扩散。 ? 被加速的离子与靶中的硅原子相碰，可以把能量传给靶原子，而当靶原子的能量足够大时则可使其发生位移。当位移原子的能量足够大时还可使其他靶原子发生位移，从而形成一个碰撞与位移的级链，造成晶体损伤。不过，在低于1000℃的温度下让晶片退火，可消除大部分损伤而恢复晶体的单晶结构，同时使注入离子激活(即运动到晶格位置而产生电活性的掺杂作用)。 三、中子嬗变掺杂技术(NTD) 中子嬗变掺杂技术是另一种非常吸引人的掺杂方法，最普通的是用它进行磷掺杂而形成均匀的n型材料。其基本原理是由于硅有三个稳定的同位素28Si、29Si和30Si，它们分别为92．21％、4．70％和3．02％，当受到热中子照射时，其中只有30Si捕获中子才产生放射性同位素31Si，随后31Si 嬗变为稳定的同位素31P，从而达到了n型掺杂的目的。这一过程的掺杂核反应式为： 30Si+n 31Si 31Si 31P+β- 31P+n 32P ? 32P 32S+ β - ? 由此看到，31P 也可以捕获一个中子而引起32P的发射。由于31Si的衰变寿命很短，没有显示出残余的放射性，而32P有中等的寿命，故可导致可测的放射性剂量。当然，32P的剂量主要取决于31P 产生的剂量，它在一定程度上取决于中子流和硅中磷的最初剂量。 中子嬗变掺杂最显著的优点是均匀性很好(可达土2％)，它不但可以使高阻的悬浮区熔硅晶锭变成浓度分布十分均匀的n型(也可以实现p型)材料，而且可以获得非常均匀的外延层；其次是易于正确地监控所引进的裁流子数目(准确度为士5％)。由于通过核反应加工而引进了辐射损伤，所以还必须进行适当的退火(一般用500—900°C退火)，以便恢复其晶格和电阻率。 ? 第七节 连线材料和工艺 硅基片上的分立元件被加工出来后，必须将元件连接起来构成集成电路(IC)。这要通过金属化工艺来完成。在金属布线工艺中，金属膜(0．5—2um)被沉积在硅基片上，然后成图形，把晶体管、二极管、电容和电阻连接起来。 一、金属布线工艺及金属膜的特性 目前，金属化工艺常使用铝和铝合金，因为它们具有与Si02粘附性好、电阻率低、能用真空蒸发技术沉积和价廉等优点。表2—5汇集了金属化薄膜中最常用的金属 二、铝及其他金属布线工艺 铝的金属化工艺对集成电路的元件尺寸有明显影响。小型快速的器件需要比较浅薄的p—n结，但由于铝和硅的相互扩散作用，使这种p—n结经受不住金属化后的热处理 (＜500℃)。 在大电流密度下，铝容易产生金属离子的电迁移，使某些铝引线形成空洞甚至断开，而