第一章晶闸管.pptVIP

;3.电力二极管的主要参数 ;2.反向重复峰值电压URRM ?? 对功率二极管所能重复施加的反向最高峰值电压 ?? 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3。 ?? 使用时，往往按照电路中功率二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定。? 3.正向压降UF ? 指功率二极管在指定温度下，流过稳定的正向额定电流时，器件两端的正向平均电压，（又称管压降）。 4. 反向漏电流IRR 指器件对应于反向重复峰值电压时的反向电流。 ? ; 5. 最高工作结温TJM ?? 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示 ?? 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度 ?? TJM通常在125~175?C范围之内 ? 6. 反向恢复时间trr trr= td+ tf ，关断过程中，电流降到0起到恢复反向阻断能力止的时间 ?;1.3 半控型器件－晶闸管 ;1.3 半控型器件－晶闸管;1.3.1 晶闸管的结构与工作原理;晶闸管的结构;晶闸管的结构;???闸管的结构;晶闸管的工作原理;晶闸管的工作原理;晶闸管的工作原理;晶闸管的工作原理; 1 导通条件：UAK0 AND UGK0 (iG 0适当值) 关断条件： IA减小至维持电流以下。 UAK减小到零或加反压来达到 一旦导通，门极失去控制，故可用脉冲信号 ; 承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。 承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 。;1.3.2 晶闸管的基本特性与主要参数 ; 晶闸管的基本特性;晶闸管的基本特性;晶闸管的主要参数;晶闸管的主要参数; 晶闸管－－－电流参数！;有效值与平均值的定义;正弦半波的电流平均值与有效值;正弦半波的波形系数;非正弦波形的电流额定值计算！;公式折算含义！;晶闸管的选取方法！; ;; ; ;;; ;;2. 动态特性;1.4 全控型电力电子器件 ;1.4.1 门极可关断晶闸管（GTO） ;GTO的工作原理;由普通晶闸管的分析可以看出，α1＋α2＝1是器件临界导通的条件。当α1＋α21时，两个互补晶体管V1、V2进入过饱和而使器件导通；当α1＋α21时，不能维持饱和导通而关断。GTO与普通晶闸管不同的是： 1.??? 1.在设计器件时使得α2较大，这样晶体管V2的控制灵敏，使GTO容易关断。 2.使导通时的α1＋α2更接近于1。普通晶闸管设计为α1＋α2≥1.15，而GTO设计为α1＋α2≈1.05。这样使GTO导通时饱和程度不深，更接近于临界饱和，从而为门极控制关断提供了有利条件。当然，负面的影响是，器件导通时的管压降加大了。 多元集成结构使每个GTO单元的阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2基区所谓的横向电阻很小，从而使得从门极快速抽出较大的电流成为可能。 ;GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的，有同样的正反馈过程，只不过导通时的饱和程度较浅。因而器件退出饱和实现关断。 ;GTO的主要参数;1.4.2电力晶体管（GTR） ;电力晶体管的结构和工作原理 ;(1)?GTR共射极电路输出特性 ?? 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区 ?? 在电力电子电路中 GTR工作在开关状态即 工作在截止区或饱和区 ?;(2)GTR的主要参数 ;④最大耗散功率PCM：即GTR在最高结温时所对应的耗散功率，它等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。这部分能量转化为热能使管温升高，在使用中要特别注意GTR的散热。如果散热条件不好，GTR会因温度过高而迅速损坏。 ⑤饱和压降UCES：GTR工作在深饱和区时，集射极间的电压值。图1－15为GTR的饱和压降特性曲线。由图可知，UCES随IC增加而增加，在IC不变时，UCES随管壳温度Tc的增加而增加。 ⑥共射直流电流增益β：β=IC/IB表示GTR的电流放大能力。高压大功率GTR(单管)一般β10。 ⑦动态参数：开通时间 ton=td+tr 关断时间 toff=ts+tf ;二次击穿;二次击穿;安全工作区 ;② 反偏安全工作区RBSOA 反偏安全工作区又称为GTR的关断安全工作区。它表示在反向偏置状态下GTR关断过程中电压UCE、电流Ic限制界线所围成的区域 ;1.4.3绝缘栅双极型晶体管（IGBT） ;IGBT的工作原理 ;IGBT的基本特性;IGBT的主要参数;（3）通态压降UCE(ON) 通态压降UCE(ON)是指IGBT处于导通状态时集射极间的导通压降。它决定了IGBT的通态损耗，此值越小，管子的功率损耗越小。富士公司IGBT模块的