MOS管参数解释归纳.pdfVIP

MOS 管介绍 在使用 MOS ，一般都要考虑 MOS ， ，最大电流等因素。 MOSFET 管是 FET ，可以被制造成增强型或耗尽型， P 沟道或 N 沟道共 4 ，一般 主要应用的为增强型的 NMOS 管和增强型的 PMOS ，所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型 MOS ，比较常用的是 NMOS 。 。所以开关电源 ，一般都用 NMOS 。 在 MOS ，漏极和源极之间会寄生一个二极管。 ，在驱动感性负载 (如马 达 ) 这个二极管很重要，并且只在单个的 MOS ，在集成电路芯片内部通常 。 MOS ，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。 ，但没有办法避免。 MOS 管导通特性 ，相当于开关闭合。 NMOS ，Vgs ，适合用于源极接地时的情况 (低端驱动 ) 只要栅 （如4V 或 10V, ，看手册）就可以了。 PMOS 的特性 ，Vgs ，适合用于源极接 VCC 时的情况 (高端驱动 ) 。但 ，虽然 PMOS ，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原 ，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS 。 MOS 开关管损失 不管是 NMOS 还是 PMOS 导通后都有导通电阻存在，因而在 DS ，两端还 ，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通 电阻小的 MOS 。现在的小功率 MOS ，几十毫欧左 右 MOS ，一定不是在瞬间完成的。 MOS ，流 ，在这段时间内， MOS ，叫做开关损 。 ，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大， 。 ，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小 。 。 MOS 管驱动 MOS ，只要 GS ，就可以了。 ，我们还需要速 。 在 MOS ，在 GS，GD ，而 MOS ，实际上就 。 ，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路， 。选择 / 设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大 。 普遍用于高端驱动的 NMOS 导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的 MOS 管导 通时源极电压与漏极电压 (VCC) ，所以这时栅极电压要比 VCC 大 (4V 或 10V ， 看手册 )