半导体材料和集成电路平面工艺基础(powerpoint 57页).pptVIP

Noyce Fairchild 1959 July Si planar IC 2981877 第三十一页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 沟道长度0.13?m 特征尺寸 第三十二页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 第三十三页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 ?? ~ 15 inch ~ 2 cm2 第三十四页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 Chip Wafer 第三十五页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 ?=300mm MEMC Electronic Materials, 第三十六页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 第三十七页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 * 摩尔定理：由Intel创始人之一的Moore提出的，被人认为可以获得诺贝尔经济学奖的定理 一块芯片上的晶体管数目大约每隔12个月翻一番（1964年）（1975年修订为18个月） 实现途径：晶体管尺寸减小；芯片尺寸增大； 第三十八页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 Moore’s Low 第三十九页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 Moore’s Low 第四十页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 第四十一页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 World Semiconductor Trade System From: 第四十二页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 器件（电路）设计 测试与验证 版图设计与制造 芯片制造 测试?封装?测试 器件生产基本过程 第四十三页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 SoC—— System on Chip 芯片系统集成 MEMS—— Micro-Electronic Mechanic System 微电子机械系统 OEIC——Optoelectronic Integrated Circuit 光电子集成系统 MOMES 第四十四页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 1）、微电子机械系统（MEMS） 微电子技术与精密机械技术相结合，将微型传感器（力、热、光、电、磁、声）、微型执行器（如：机械）、信号处理与控制电路、接口电路、通信系统以及电源集成一体。 目前主要用硅材料和介质膜通过光刻技术实现 第四十五页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 厚：20~30?m 直径：4mm 转速：200rpm 第四十六页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 第四十七页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 物理要点：振动的质量块电容极板在非惯性系统中受到科氏力的作用，质量块移动而引起电容的变化。 第四十八页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 Semiconductor Materials Basic Principle of IC Planar Processing半导体材料和集成电路平面工艺基础 第一页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 References：(Materials) 3. 材料科学与技术丛书—半导体工艺， K. A. 杰克逊 等 主编， （科学出版社，1999） Processing of Semiconductors, By Kenneth A. Jackson and Wolfgang Schr?ter, (Wiley-VCH, 1996); Ch1,Ch2 4. 半导体器件的材料物理学基础，陈治明 等，科技版，1999 5. 微电子技术工程—材料、工艺与测试，刘玉岭 等，（电子工业出版社， 2004） 1. Silicon Processing，By Stanley Wolf and Richard N. Tauber， （Lattice Press，2000）; Ch1, Ch2 2. Silicon VLSI Technology—Fundamentals, Practice and Modeling, By Lame D. Plummer et al, (Pearson Education, , 2000) ; Ch3 第二页，编辑于星期五：二十二点 五十九分。 References：(Processing) 3. Silicon Processing，By Stanley Wolf and Richard N. Tauber， （Lattice Press，2000） 4. ULSI Technology，By G. Y. Chang and Simon. M. Sze， （MiGraw Hill，1996） 5. 半导体制造技术，Michael Quirk, Julian Serda （科学出版社，1999） Semicon