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太阳能电池资料会计学第2页/共30页第一代基于硅片技术的太阳电池基于半导体薄膜技术的第二代半导体太阳电池第3页/共30页 “多层膜一叠层半导体材料一量子阱材料一量子点材料”为主要路线的第三代太阳能电池第4页/共30页太阳能电池的分类传统太阳电池同质结太阳电池按光电转换机理按结构分类异质结太阳电池肖特基太阳电池激子太阳电池第5页/共30页无机化合物半导体太阳电池硅太阳电池塑料太阳电池按材料分类单晶硅电池；多晶硅电池；非晶硅电池；碲化镉电池；铜铟硒电池等。敏化纳米晶太阳电池有机化合物太阳电池第6页/共30页太阳能电池的结构光生伏特效应第7页/共30页太阳电池工作原理与性能原理——光生伏特效应 实质——光能转换成电能第8页/共30页太阳能电池基本原理PN结内电场方向：N P第9页/共30页 a b c半导体的能带和电子分布图a 本征半导体 b n型半导体 c p型半导体hEg太阳电池工作原理与性能第10页/共30页1、光在表面被反射；2、光在表面被吸收生产电子-空穴对，但未到达PN结就被复合掉，这部分光大部分是吸收系数大的短波长的光；3、光在pn结附件或在pn结上被吸收而产生电子空穴对，并扩散到pn结产生光电动势；4、光在材料内部深处被吸收而产生电子空穴对，但到pn结之间就被复合；5、光在内部深处被吸收，但由于能量小不产生电子空穴对，或不被吸收而透射出去，这部分是长波长的光，不产生光生电动势。第11页/共30页由于pn结势垒区内存在较强的内建势场（从n区指向p），结两边的光生载流子受该电场作用，各自向相反的方向运动；p区的电子穿过p-n结进入n区，n区的的空穴进入p区，使p端的电势升高，n端的电势降低，于是在pn结两端形成了光生电动势，这就是pn结的光生伏特效应。第12页/共30页产生光伏效应的三个条件1、由光照而产生的电子-空穴对的浓度应超过他们在热平衡时的浓度；2、过剩的异号电荷必须受到内建电场的作用，这种内建电场由pn结产生；3、所产生的电子-空穴必须可漂移，并有一定长的寿命。第13页/共30页太阳能电池重要参数1、短路电流密度Jsc2、开路电压Voc3、填充因子FF4、光电转换效率EFF第14页/共30页太阳能电池的等效电路1、短路电流密度Jsc：与光照面积及器件结构有关2、开路电压Voc：由pn结扩散电位及材料的掺杂浓度、吸收层禁带宽度以及p层和n层材料的电子亲和势等决定。3、填充因子FF：描述太阳能电池性能的重要参量；影响因素：结特性，前后表面接触特性，构成器件的材料的点穴特性。第15页/共30页太阳能电池的能量损失机理①为热损失；②和③为P-N结和接触电压损失；④为电子一空穴结合所造成的损失。第16页/共30页太阳能电池的生产工艺过程硅片的生产工艺过程第17页/共30页Wafer第18页/共30页单晶硅生长A pure silicon seed crystalpulled out slowly as it is rotatedSi ingotCzochralski process 第19页/共30页Examples of completed ingotsDiameter can be 150mm (6”), 200mm (8”), 300mm (12”), or 400mm (16”)第20页/共30页单晶Si WaferWafer第21页/共30页太阳能电池的制造过程等离子边缘腐蚀硅片腐蚀扩散制结表面金属化减反射膜制备去磷硅玻璃第22页/共30页太阳能电池及模块和阵列第23页/共30页单晶硅太阳能电池一般采用n+/p同质结的结构，即在p型硅片上用扩散法制作出一层很薄的经过种掺杂的n性层，然后再n性层上制作金属栅线，作为正面的接触电极。为减少光的反射损失，一般在整个表面制作绒面，或覆盖减反射膜。第24页/共30页GaAs太阳能电池第25页/共30页CdTe太阳能电池第26页/共30页太阳电池应用第27页/共30页太阳电池应用第28页/共30页太阳电池应用第29页/共30页太阳能电池遇到的挑战接受太阳辐射的面积；气候的影响；硅片的价格及硅片的加工技术。第30页/共30页感谢您的观看！