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电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答 电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答 PAGE 电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答 第4章 场效应管放大电路与 功率放大电路 图所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压（或夹断电压）约是多少。 图 习题图 解：(a) N沟道 耗尽型FET UP=－3V； (b) P沟道 增强型FET UT=－4V； (c) P沟道 耗尽型FET UP=2V。 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = －8V。(1) 此元件是P沟道还是N沟道( 2) 计算UGS = －3V是的ID；(3) 计算UGS = 3V时的ID。 解：(1) N沟道； (2) (3) 画出下列FET的转移特性曲线。 (1) UP = －6V，IDSS = 1mA的MOSFET；(2) UT = 8V，K = V2的MOSFET。 解： (1) (2) 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。 解： 判断图所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。 解： (a) 能放大 (b) 不能放大，增强型不能用自给偏压 (c) 能放大 （d）不能放大，增强型不能用自给偏压。共漏，可增加Rd，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。 图 习题电路图 电路如图所示，MOSFET的Uth = 2V，Kn = 50mA/V2，确定电路Q点的IDQ和UDSQ值。 解： 图 习题电路图 图 习题电路图 试求图所示每个电路的UDS，已知|IDSS| = 8mA。 解：(a) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = 12－8×1=4(V) (b) UGSQ=0(V) IDQ=IDSS=－8(mA) UDSQ=VDD－IDQRd = －9+8×=－(V) 电路如图所示，已知VT在UGS = 5V时的ID = ，在UGS = 3V时的ID = 。现要求该电路中FET的VDQ = 、IDQ = ，试求： (1) 管子的Kn和Uth的值； (2) Rd和RS的值应各取多大？ 解：（1）ID=Kn(UGS-Uth)2 = Kn(5-UTh)2 = Kn(3-Uth)2 → Uth1=(V) (不合理，舍去)，Uth2=2(V) 求得：Kn=V2，Uth=2V （2）VDQ=VDD-IDQ·Rd =12－ →Rd=15kΩ →UGSQ1=(V)(不合理，舍去) UGSQ2=(V) UGSQ=10－·Rs ∴Rs=10kΩ 电路如图所示，已知FET的Uth = 3V、Kn = V2。现要求该电路中FET的IDQ = ，试求Rd的值应为多大？ 图 习题图 图 习题图 解：=(UGSQ－3)2 ∴UGSQ1=7(V) UGSQ2=－1(V)(不合理，舍去) UDSQ=UGSQ=7(V) UDSQ=15－×Rd ∴Rd=5kΩ 电路如图所示，已知场效应管VT的Uth = 2V，U(BR)DS = 16V、U(BR)GS = 30V，当UGS = 4V、UDS = 5V时的ID = 9mA。请分析这四个电路中的场效应管各工作在什么状态(截止、恒流、可变电阻、击穿) 图 习题图 解：(a) 截止 (b) UDSQ=20VU(BR)DS，击穿 (c) ID=Kn(UGS-Uth)2 9= Kn (4－2)2 ∴Kn =V2 UGSQ=3V IDQ=(3－2)2 ∴IDQ= → UDSQ=12－×5=(V)UGSQ－Uth =1V ∴处于可变电阻区 (d) UDSQ=12－×3=(V)UGSQ－Uth =1V ∴处于恒流区 图所示场效应管工作于放大状态，忽略不计，电容对交流视为短路。跨导为。（1）画出电路的交流小信号等效电路；（2）求电压放大倍数和源电压放大倍数；（3）求输入电阻和输出电阻。 图 习题电路图 解： (2) Ri=Rg3+Rg2//Rg1=2+/=(MΩ) Ro=Rd=10kΩ (3) 电路如图所示，已知FET在Q点处的跨导gm = 2mS，λ=0，试求该电路的、Ri、Ro的值。 图 习题电路图 解：Ri=Rg2//Rg1=2//=(MΩ) Ro=Rs//=3//=429(Ω) 由于功率放大电路中的晶体