第八章金属和半导体的接触.pptxVIP

会计学;在半导体中，导带底 EC 和价带顶 EV 一般都比 E0 低几个电子伏特。;2.接触电势差;;平衡时, 无电子的净流动. 相对于(EF)m, 半导体的(EF)s下降了 ;;接触电势差一部分降落在空间电荷区, 另一 部分降落在金属和半导体表面之间;;半导体一边的势垒高度;?半导体表面形成一个正的空间电荷区 ?电场方向由体内指向表面 (Vs0) ?半导体表面电子的能量高于体内的，能 带向上弯曲，即形成表面势垒;WmWs;;能带向下弯曲, 造成空穴的势垒, 形成 p 型阻挡层;;形成n型和p型阻挡层的条件;3. 表面态对接触势垒的影响;表面态分施主表面态和受主表面态，在半导体 表面禁带中形成一定的分布，存在一个距价带 顶为 q?0 的能级;存在受主表面态时 n 型半导体的能带图;若表面态密度很大，只要 EF 比 q?0 高一点， 表面上就会积累很多负电荷，能带上弯;高表面态密度时，势垒高度;有表面态，即使不与金属接触，表面也形成势垒， 半导体的功函数（形成电子势垒时）;表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图;金和半接触时, 当半导体的表面态密度很高时;表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图;半导体的势垒高度;势垒高度;§８.2 金属半导体接触（阻挡层） 整流理论;外加电压对 n 型阻挡层的影响;外加电压对 n 型阻挡层的影响;(c) V 0;阻挡层具有整流作用;1. 厚阻挡层的扩散理论; 耗尽层中，载流子极少，杂质全电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。;{;势垒宽度;考虑漂移和扩散，流过势垒的电流密度;V0 时，若 qVkT, 则; 计算超越势垒的载流子数目（电流）就是热电子发射理论。; 电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压变化。从金属到半导体的电子流所形成的电流密度J m ? s是个常量，它应与热平衡条件下，即V=0时的 J s ? m大小相等，方向相反。因此，;有效理查逊常数;由上式得到总电流密度为：;Ge, Si, GaAs的迁移率高，自由程大，它们的 肖特基势垒中的电流输运机构，主要是多子 的热电子发射。;3. 镜象力和隧道效应的影响;若电子距金属表面的距离为x，则它与感应正电荷之间的吸引力，相当于该电子与位于(–x)??的等量正电荷之间的吸引力，这个正电荷称为镜象电荷。;;把电子从x点移到无穷远处，电场力所做的功;;电势能在 xm 处出现极大值，这个极大值发生在作用于电子上的镜象力和电场力相平衡的地方，即;势垒顶向内移动，并且引起势垒的降低 q ? ? 。;当反向电压较高时，势垒的降低变得明显，镜象力的影响显得重要。;不考虑镜像力的影响时;（2）隧道效应的影响;隧道效应引起的势垒降低为;镜像力和隧道效应对反向特性影响显著 ;4.肖特基势垒二极管; §８·3 少数载流子的注入 和欧姆接触; 空穴电流的大小，首先决定于阻挡层中的空穴浓度。只要势垒足够高，靠近接触面的空穴浓度就可以很高。;;势垒中空穴和电子所处的情况几乎完全相同，只是空穴的势垒顶在阻挡层的内边界。;上图说明这种积累的效果显然是阻碍空穴的流动。因此，空穴对电流贡献的大小还决定于空穴进入半导体内扩散的效率。;2· 欧姆接触;重掺杂的P-N结可以产生显著的隧道电流。金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变得很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。