VLSI数字集成电路设计-CMOS.docx

  1. 1、本文档共12页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
? ? VLSI数字集成电路设计 CMOS ? ? 文章目录 1. 开关阈值 2. 噪声容限 3. 动态特性 —— 电容 4. 动态特性 —— 传播延时 5. 传播时延优化分析 6. 动态功耗 1. 开关阈值 对于长沟道晶体管器件: 2. 噪声容限 对VTC进行线性近似,过渡区看作直线,增益为在开关阈值Vm处的增益 ——器件参数变化对门的阈值影响很小 ——对于固定的晶体管尺寸比,Vm近似正比于Vdd,但太低的电压对性能有影响 3. 动态特性 —— 电容 使CL尽可能小是实现高性能CMOS电路的关键 : 珊漏电容Cgd12 —— 覆盖电容 扩散电容Cdb1 Cdb2 连线电容 Cw 扇出的栅电容Cg3 Cg4 4. 动态特性 —— 传播延时 τ = RC为电路的时间常数,到达50%的时间是** t = ln(2)τ = 0.69τ **,10%到90%的为 t = ln(9)τ = 2.2τ 通过使Rn = Rp,来让上升下降传播延时相同。W/L可以控制R 分析: 通过把tp展开,得到: 延时对于大的Vdd不敏感,但当Vdd接近2Vt的时候看到延时开始迅速增加 5. 传播时延优化分析 由上图可以得知,减少CL、增大W/L、提高VDD为优化时延的方法,下面进行分析 1. NMOS和PMOS之间尺寸的比 PMOS的尺寸增加因充电电流改善了tLH,但是因为电容变大影响了tHL 2.考虑反向器尺寸 反向器也就是buffer由两个延迟决定,一个是本征Cint,一个是外部Cext 当反向器变化尺寸系数S的时候 3. 考虑整体 —— 反向器链 虽然S变大有助于减少单个反向器的时延,但是S会增大输入电容 输入栅电容Cg与本征输出电容Cint之间的关系为: 等效扇出: 有长连线的时候: Cint和Cfan分别为本征电容和扇出电容 6. 动态功耗 对CMOS电路功耗起支配作用的是 由充电放电电容引起的动态功耗 EVDD为电源功耗,EC为电容功耗 同时还有直流通路引起的功耗为: ? -全文完-

您可能关注的文档

文档评论(0)

科技之佳文库 + 关注
官方认证
内容提供者

科技赋能未来,创新改变生活!

版权声明书
用户编号:8131073104000017
认证主体重庆有云时代科技有限公司
IP属地浙江
统一社会信用代码/组织机构代码
9150010832176858X3

1亿VIP精品文档

相关文档