辐射探测器与检测技术.pptxVIP

1; 利用核辐射与物质相互作用所产生的电离效应、发光现象、物理或化学变化进行核辐射探测的元器件称为核辐射探测器。概括地讲，核辐射探测器的主要作用是把进入探测器灵敏区域的核辐射转变成为信号处理设备能够觉察出来的信号，例如电信号、光信号、声信号、热信号等。探测器给出的信息能够直接或间接地确定核辐射的种类、能量、强度或核素寿命等。用于各种目的的核辐射探测器种类很多，工作原理也不尽相同。按探测核辐射的物理过程可分为两大类：电离型探测器和发光型探测器。常用的电离型探测器有电离室、正比计数管和盖革—弥勒计数管(G-M计数管)、半导体探测器等。闪烁探测器、切伦科夫探测器、热释光探测器等属于发光型的探测器。 ;探测器由下列三部分构成 1.灵敏区 2.结构部分 3数据输出机构;气体探测器 闪烁探测器 半导体探测器 径迹探测器; 带电粒子使气体原子电离而形成负电子和正离子对的现象称为气体的电离。电离出来的电子称为次级电子，其中一些能量较大的电子还可以使气体分子电离。通常，我们把由带电粒子直接产生的电离叫做原电离，而把由次级电子所产生的电离叫做次电离。原电离和次电离之和称为总电离。 ;;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器的特点： 探测器的灵敏体积大小和形状几乎不受限制； 没有辐射损伤或极易恢复； 经济可靠。;;气体探测器;气体探测器;五、正比计数管;五、正比计数管（proprotional counter）;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器;气体探测器;;气体探测器;半导体探测器 Semiconductor detector;;半导体探测器是60年代以后迅速发展起来的一种核辐射探测器，其探测介质是半导体材料。随着半导体材料和低噪声电子学的发展以及各种应用的要求，先后研制出了P-N结型探测器、锂漂移型探测器、高纯锗探测器、化合物半导体探测器以及位置灵敏探测器，内放大半导体探测器等特殊类型半导体探测器。 ;半导体探测器探测带电粒子的基本原理与气体电离室的十分相似。但由于半导体的密度比气体的大得多，对射线的阻止本领也就比气体的大得多。在半导体中产生一个电子—空穴对所需的平均电离能ω约为3eV，比在气体中的平均电离能(约30eV)小一个数量级。 若能量为E0的核辐射粒子，其能量全部损失在半导体探测器灵敏体积内，所产生的电子—空穴对数目为： N=Eo/W ;半导体探测器加一外电压，电压的方向是使半导体探测器得到反向偏置，故称为加反向偏压。从以后各节的讨论将知道，半导体探测器多为P-N结结构。加反向电压即在结的P边相对于N边为负电压，这时结两边的电位差增加，只有少数载流子在电场作用下越过结，而少数载流子浓度很低，所以反向电流很小。由于探测器加反向偏压，探测器灵敏区内部形成电场区。在没有核辐射射入时，由于绝缘电阻很大，漏电流很小。当带电粒子或其他核辐射人射到探测介质后，它们损失能量，介质内就产生电子—空穴对，在外电场作用下，电子和空穴分别向两电极作漂移运动，从而在电极上感应出电荷，电荷在电容C上积累而形成电压脉冲。 ;要实现这一过程，必须同时满足以下条件： ①要求用作探测器的固体材料具有高的电阻率，才能保证加上较高的电场强度，而漏电流很小； ②探测器材料必须有足够长的载流子漂移长度，以便载流子能通过灵敏区厚度d到达电极而不发生复合或俘获。 目前，满足上述要求的主要方法有；①在硅或锗单晶中形成PN结，在PN结上加反向偏压形成探测器的灵敏区，在该灵敏区内载流子浓度很小，电阻率极大而漏电流很小； ②在P型和N型的锗或硅单晶之间通过补偿工艺使形成准本征区，其电阻率很高，可作为探测器的灵敏区； ③使用高纯度半导体材料作为探测器材料。;一、半导体探测器的结构和简单原理 ;一、半导体探测器的结构和简单原理 ;一、半导体探测器的结构和简单原理 ;二、半导体探测器的主要性能 1.反向电流 热激发产生的体电流 来自结区的扩散电流 半导体表面的漏电流;;半导体探测器 Semiconductor detector;;;;;;锂漂移P-I-N型半导体探测器 锂漂移探测器就是锂离子通过补偿工艺，在P型半导体中漂移而形成的一种P-I-N探测器。 I：本征区 Si（Li）硅（锂）探测器 Ge（Li）锗（锂）探测器;五、高纯锗探测器 高纯锗探测器(HPGe)是在70年代研制出的新型半导体探测器。它普遍用在γ谱仪中，取代了Ge(Li)探测器。HPGe探测器经过多次升温和冷却仍然能正常工作，证明了它能在室温下保存。但为了避免探测器真空室内的残留蒸气可能污染探测器表面和减少漏电流，条件许可时最好把它连续保持在液氮温度下。 HPGe探测器的基体可以用P型锗，也可以用N型锗。分别称为