第4章晶体三极管及其基本放大电路.pptxVIP

第4章晶体三极管及其基本放大电路会计学第1页/共127页我国晶体管得型号命名方法 bN二氧化硅PPec第2页/共127页　晶体管的结构及类型常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。eb发射区集电区N发射区基区P集电区N基区c(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)图三极管的结构NPcNbe符号第3页/共127页集电极 c集电区集电结基极 b基区发射结发射区发射极 e图 三极管结构示意图和符号　　NPN 型NP　cNNPbe符号　图 4.1.2（C)三极管结构示意图和符号　(b)PNP 型第4页/共127页集电极 c集电区集电结基极 b基区发射结发射区发射极 eCCCCPNPBNPNBNPN型BBEEEEPNP型第5页/共127页类型1.按结构区分：有NPN型和PNP型。2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管。 ccN表面看bbPNee第6页/共127页　晶体管的电流放大作用以 NPN 型三极管为例讨论　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。　不具备放大作用cPPPNNNNNNNbPNe第7页/共127页三极管内部结构要求：　1. 发射区高掺杂。　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。3. 集电区面积大。　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。第8页/共127页晶体管基本共射放大电路cIBRcbRbI Ee第9页/共127页一、晶体管内部载流子的运动发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。2. 扩散到基区的自由电子与　空穴的复合运动形成基极　电流　　电子到达基区，少数与空穴复　合形成基极电流 Ibn，复合掉的　空穴由 VBB 补充。多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。I CcICBOI BRbbRcI Ee第10页/共127页3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC 　集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 IC。另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。晶体管内部载流子的运动cRcIB=IEP+ IBN－ICBO ~ IBN－ICBObRb~ee第11页/共127页 二.晶体管的电流分配关系和电流放大系数电流分配关系ICICnICBOIB IE=ICn + IBn + IEp = IEn+ IEpIBnIC = ICn + ICBOIEpIEnIEIE =IC+IBC2+C1ICRc+TIBRbVCCVBB共发射极接法第12页/共127页电流放大系数（1）共射直流电流放大系数整理可得：ICBO 称反向饱和电流ICEO 称穿透电流（2）共射交流电流放大系数C1C2++RcReIEICVCCVEE共基极接法或　直流参数 与交流参数 ?、 ? 的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说， 与? ， 与? 的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。第13页/共127页（3）共基直流电流放大系数（4）共基交流电流放大系数5. ?与? 的关系　+iCbuCEciB-+uCCuBEe-uBB共射极放大电路第14页/共127页晶体管的共射特性曲线1. 输入特性曲线 iB=f(uBE)?UCE=const(1) 当UCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2) 当UCE增大时，特性曲线右移。(3)当UCE1V时，三极管的特性曲线几乎与UCE=1V时的输入特 性曲线重合。 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结也正偏。+iC截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于死区电压，集电结反偏。buCEciB-放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。+uCCuBEe-uBB共射极放大电路第15页/共127页2、输出特性曲线iC=f(uCE)? IB=const输出特性曲线的三个区域:饱和区：Je正偏，Jc正偏uBE Uon ，硅管：0.6—0.8V, 锗管：0.1—0.3V。uCEuBE,iCβiB, UCES=0.3V(硅管) , UCES =0.1V(锗管). 深度饱和，一般第16页/共127页输出特性曲线截止区： Je反偏，Jc反偏。uBE≤Uon,IB=0,IC=ICEO,三极管几乎不导通 iC=f(uCE)? IB=const放大区： Je正偏，Jc反偏。uBE Uon