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水洗 SCHMID刻蚀 镀膜 刻蚀 扩散 碱洗 HF酸洗 水洗 吹干 水洗 刻蚀流程： 第二十六页，共四十九页。 刻蚀原理： 同制绒原理。 去PSG原理： 　　　扩散过程中在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。 第二十七页，共四十九页。 1、腐蚀深度，即硅片减少的厚度（腐蚀速率） 工艺关键控制点： 2、溶液配比，自动补液量 3、温度(制绒槽反应的温度) 4、带速，烘干情况等 第二十八页，共四十九页。 刻蚀：通过HF-HNO3溶液与硅片的化学反应去除边缘及背面的P-N结。 腐蚀深度：通过称量SCHMID刻蚀前后硅片的减重量（g）计算出的硅片单面腐蚀厚度（um）。 第二十九页，共四十九页。 目的：降低反射率，对硅片表面进行钝化。 等离子的概念及其优势：等离子体-电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态。CVD(化学气相沉积）通常需要较高温度，等离子体可以显著降低反应温度，降低生产成本。 PECVD（等离子增强化学气相沉积） 第三十页，共四十九页。 PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 原理： 第三十一页，共四十九页。 按镀膜方式分类：直接法（ Centrotherm），间接法（RothRau） 直接法—管式炉：Centrotherm。硅片直接接触等离子体，直接作为电极的一部分。石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。 优点:成膜均匀致密，并可以改善某些物理特性； 缺点:(1)对硅片表面有损伤(微观结构）； (2)硅片表面特性（角锥体等）影响辉光放电，电导率 影响等离子场均匀性； (3)PECVD的气流是从石英管一端引入，这样也会造成工 艺气体分布的不均匀。 一、PECVD的认识 第三十二页，共四十九页。 间接法—平板型：RothRau。待沉积的硅片在等离子区域之外，等离子体不直接打到硅片表 面，硅片也不是电极的一部分。使用微波作为激发等离子体的频段。微波源置于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷气， 产生SiNx分子沉积在样品表面。 优点：(1)频率高，沉积速率比直接的要高很多，产量大； (2) 表面损伤小； 缺点：(1)频率高，难以达到大面积均匀性； (2) 成膜疏松； 一、PECVD的认识 第三十三页，共四十九页。 石墨舟：用于管式PECVD，主要由石墨片及陶瓷棒构成，陶瓷棒起到绝缘作用，石墨片用于导电形成相应的反应磁场；舟内有卡点，每片为三个点，用于固定硅片。 第三十四页，共四十九页。 注意事项 1、预热：为了将石墨舟内的水分彻底烘干、使舟的热膨胀系数及导电性能稳定，否则影响镀膜质量。 2、预处理：由于氮化硅在硅片和石墨表面的沉积速率不一致，为了减少舟在硅片反应过程中对氮化硅的吸收，对舟进行预先反应 。未处理后果:边缘发红。 3、检查吸笔头是否清洁：吸笔头会与硅片表面产生摩擦,镀膜后会留下“吸笔印”或者一道“划痕”，影响外观。 吸笔 第三十五页，共四十九页。 多晶硅太阳电池培训 第一页，共四十九页。 一期太阳电池生产大致分为： 1，制绒 2，清洗 3，扩散 4，刻蚀 5，PECVD 6，印刷烧结 7，测试分档 第二页，共四十九页。 制绒 去除损伤层 形成减反射绒面（陷光结构） 目的： 第三页，共四十九页。 多晶制绒: 水洗槽 水洗槽 酸制绒机 制绒槽 烘干 扩散前清洗 原材料检验 碱洗槽