VLS法制备一维纳米材料.pptVIP

用VLS机理 制备一维纳米材料; 一 气-液-固（ V-L-S ）机理概述： 二十世纪六十年代，Shyne和Milewesk提出了晶须生长的VLS机理,并首先由Vagner和Ellis用于合成了SiC晶须。 之后,人们用此机理合成了各种各样的晶须.随着纳米尺度材料研究的兴起,人们又开始用这种机理来合成一维纳米材料. 现在这种方法已被广泛用来制备各种无机材料的纳米线，包括元素半导体（Si、Ge），Ⅲ-V族半导体（GaN、GaAs、InAs等），Ⅱ-VⅠ族半导体（ZnS、ZnSe、CdS、CdSe），氧化物（ZnO、氧化镓、二氧化硅）等 V-L-S法是一维纳米材料制备中最主要的机理之一。;二 生长机理： 在适当温度下，催化剂纳米团簇与生长材料的组元互溶形成纳米级共溶液滴。 共熔液滴持续吸入生长材料的组元蒸气，以至达到过饱和，促成了生长材料的晶体晶核在液滴上生成。 蒸气继续被吸入，晶体在已生成的固液界面处不断析出，推动固液界面移动，从而长出一维纳米材料 ;; Ⅰ 形成纳米级共溶液滴 ;Au-Ge二元系相图;制备特点 1 催化剂纳米团簇的尺寸在很大程度上决定了所生长一维纳米材料的直径 2 可利用相图选择适宜的催化剂，制备温度所处范围 也可根据相图来确定 ;四 常用的催化剂与可制备的材料;五 制备中的两个重要问题 ;A1 溶液干燥法： 氯金酸 + 柠檬酸钠 Au纳米颗粒溶液 将溶液滴至基底上、干燥、反复数次;A3 蒸镀法：将金属催化剂纳米级薄膜蒸镀在基体上，薄 膜自组织 蒸镀Au薄膜在GaAs基体上，可形成大量的 纳米级的Au-As合金液滴 制备Zn0纳米线时，将Au薄膜蒸镀在蓝宝石衬底上，形成纳米级的Au-Zn合金液滴;;B2 热蒸发：蒸发金属Zn粉，通过气相传输在镀有Au膜的Si衬底上得到ZnO纳米线 高温加热CdS或ZnS纳米粉，通过气相传输在镀有Au膜的Si衬底上得到CdS或ZnS纳米线 ;B4 化学气相传输：;六 两个实例;Zn0纳米线的制备;（一）Zn从Zn-Au合金液滴中析出 （二）析出的Zn在高温下被氧化成ZnO ，形成氧化锌纳米线;SiC纳米线的制备 ;+CO;七 有关生长终止的问题;八 用VLS机理所得纳米线的形貌特征; 通常，纳米线的顶端会留有球形颗粒，但是也可能出现有的纳米线上没有球形颗粒或中间有的情况，甚至有的会发生分支生长或非直线生长。这与生长条件（温度、浓度等）的波动有关;九 在运用VLS制备纳米线时,怎样实现对纳米线直径的有效控制并同时保证其均匀性?;谢 谢!