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会计学;电子技术基础模拟部分;3 二极管及其基本电路;3.1 半导体的基本知识;半导体材料;半导体的共价键结构;本征半导体;杂质半导体;杂质半导体;杂质半导体;杂质半导体;3.2 PN结的形成及特性;载流子的漂移与扩散;结的形成;结的形成; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;结的单向导电性;结的单向导电性;结的单向导电性;结的单向导电性;结的单向导电性;结的反向击穿;结的电容效应;结的电容效应;3.3 半导体二极管;二极管的结构;二极管的结构;二极管的结构;二极管的I-V特性;二极管的主要参数;3.4 二极管的基本电路及其分析方法;简单二极管电路的图解分析方法;例电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;二极管电路的简化模型分析方法;二极管电路的简化模型分析方法;二极管电路的简化模型分析方法;二极管电路的简化模型分析方法;二极管电路的简化模型分析方法;二极管电路的简化模型分析方法;2．模型分析法应用举例;（3）限幅与钳位电路; 电路如图，二极管为硅二极管，VD=0.7V， vs = Vm sin?t V，且Vm VD ，绘出相应的输出电压vO的波形。;（4）开关电路;（6）小信号工作情况分析;3.5 特殊二极管;齐纳二极管;齐纳二极管;齐纳二极管;变容二极管;肖特基二极管;光电器件;光电器件;光电器件;光电器件
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