集成电路工艺扩散离子注入失效分析.pptVIP

离子注入时，由于受到高能量杂质离子的轰击，硅片内许多晶格被破坏而出现晶格缺陷，严重时会出现非晶层。这种缺陷一定要经过退火处理来消除，所以退火工艺在离子注入工艺中是必不可少的。 与扩散一样，离子注入也需要掩蔽，其掩蔽物可以是二氧化硅、氮化硅、AL2O3及AL都行，且掩蔽膜厚度随电场强度和杂质剂量的增加而加厚。 控制杂质浓度和深度 低掺杂浓度 (n–, p–) 和浅结深 (xj) Mask 掩蔽层 Silicon substrate xj 低能 低剂量 快速扫描 束扫描 掺杂离子 离子注入机 高掺杂浓度 (n+, p+) 和深结深 (xj) Beam scan 高能 大剂量 慢速扫描 Mask Mask Silicon substrate xj Ion implanter Photograph courtesy of Varian Semiconductor, VIISion 80 Source/Terminal side 4.4.3 离子注入设备 离子注入机分类 离子注入机按能量高低分为： 低能离子注入机 中能离子注入机 高能离子注入机 兆能离子注入机 离子注入机按束流大小分为： 小束流离子注入机 中束流离子注入机 强流离子注入机 超强流离子注入机 离子注入系统的组成 离子源 （Ion Source) 磁分析器 (Magnetic analyzer) 加速管 （Accelerator) 聚焦和扫描系统 (Focus and Scan system) 工艺腔(靶室和后台处理系统Target Assembly) 离子源 分析磁体 加速管 粒子束 等离子体 工艺腔 吸出组件 扫描盘 从离子源引出的离子经过磁分析器选择出需要的离子，分析后的离子加速以提高离子的能量，再经过两维偏转扫描器使离子束均匀的注入到材料表面，用电荷积分仪可精确的测量注入离子的数量，调节注入离子的能量可精确的控制离子的注入深度。 离子注入系统的组成 a) 离子源（Ion Source) 用来产生离子的装置。原理是利用灯丝(filament)发出的自由电子在电磁场作用下，获得足够的能量后撞击分子或原子，使它们电离成离子，再经吸极吸出，由初聚焦系统聚成离子束，射向磁分析器 b)质量分析器（磁分析器magnet analyzer) 利用不同荷质比的离子在磁场下运动轨迹的不同将离子分离，选出所需的杂质离子。被选离子束通过可变狭缝，进入加速管。 分析磁体 石磨 离子源 分析磁体 粒子束 吸出 组件 较轻离子 重离子 中性离子 c)加速管(Acceleration tube) 经过质量分析器出来的离子束，还要经过加速运动，才能打到硅片内部去。 离子经过加速电极后，在静电场作用下加速到所需的能量。 高能注入机的线形加速器 源 原子质量 分析磁体 线形加速器 最终能量 分析磁体 扫描盘 硅片 Figure 17.17 4.3 扩散层参数测量和质量分析 扩散参数测量主要指扩散薄层电阻、扩散结深的测量 1.方块电阻定义：如果扩散薄层为一正方形，其长度（边长）都等于L,厚度就是扩散薄层的深度（结深），在单位方块中，电流从一侧面流向另一侧面所呈现的电阻值，就称为薄层电阻，又称方块电阻，单位是?/□ 4.3.1 扩散薄层电阻 又称方块电阻，数值反应出硅中所掺杂质总量。 故扩散结束后要测量此参数 指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，如图所示 根据R＝ρL/S，得RS= ρL/Lxj= ρ/xj 方块电阻与方块的尺寸无关,仅与扩散结深(扩散薄层的深度:扩散形成的pn结的深度)xj及杂质浓度有关 方块电阻越小,掺杂的杂质总量越大; 方块电阻越大,掺杂的杂质总量越小 2.方块电阻测量 四探针法测量原理图 当１、２、３、４四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上，在１、４两处探针间通过电流I，则２、３探针间产生电位差V。 一般用四探针法测出方块电阻Rs (sheet Resistance), 通过它可判断扩散浓度的大小。 材料电阻率 式中：S1、S2、S3分别为探针１与２，２与３，３与４之间距，用cm为单位时的值 若电流取I = C 时，则ρ＝V，可由数字电压表直接读出。 探针系数 （可由表查得） (1) (2) 4.3.2 结深(xj)计算和测量 扩散结深是一个重要指标,可以计算,也可以测量 1.结深的计算 决定扩散结深的因素共有4个： 1、衬底杂质浓度NB 2、表面杂质浓度Ns 3、扩散时间t 4、扩散系数D 恒定源扩散 有限源扩散 2. 结深测量(略) 磨角法