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第三章集成电路中的器件结构;二极管;二极管的结构;2. 二极管的电流电压特性
ID = Is（eqVD/Kt - 1）
典型的硅二极管单位面积的饱和电流即电流密度Js约为10-17A/μm2
实际二极管中P区掺杂两比N区掺杂量大，因而在热平衡条件下P区中的多子比N区中的多子多很多，而P区中的少子比N区中的少子少很多。;电阻的结构;双极晶体管;2. 双极晶体管的两种形式
;双极型晶体管的结构;3. NPN晶体管的几种组态;4. 晶体管的直流特性;共基极的直流特性曲线;5. BJT的特点（优点）;输入电容由扩散电容决定;存在直流输入电流，基极电流;7. 当代BJT结构;1. MOS 电容;MOS场效应晶体管的结构;2. MOS场效应晶体管;;;;3. 反型层的形成;4. 转移特性曲线;电容的结构;电学隔离的必要性和方法;MOS
可以利用MOS本身的PN结实现自隔离
为了避免金属连线下的晶体管导通和漏电 ，场区开启电压必须很高
双极
介质隔离
制作隔离区
; ;接触孔、通孔和互连线;铝互连;铝互连;铜互连;双大马士革工艺
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