双极集成电路中的元件形成及寄生效应汇编.pptxVIP

双极集成电路中的元件形成及寄生效应汇编第1页/共64页上节课内容要点 集成电路的基本概念 半导体集成电路的分类 半导体集成电路的几个重要概念集成电路第2页/共64页内容概述双极型集成电路按器件类型分BiCMOS集成电路MOS集成电路SSI（100以下个等效门）MSI（103个等效门）按集成度分LSI （104个等效门）VLSI（104个以上等效门）模拟集成电路按信号类型分数模混合集成电路数字集成电路集成度、工作频率、电源电压、特征尺寸、硅片直径第3页/共64页第4页/共64页第2章双极集成电路中的元件形成及其寄生效应第5页/共64页内容提要双极集成电路的基本制造工艺双极集成电路中的元件结构双极集成电路的基本工艺理想本征双极晶体管的埃伯斯-莫尔模型双极集成电路中的有源寄生效应第6页/共64页本节课内容 双极集成电路中元件结构 双极集成电路的基本工艺EBCN+pn第7页/共64页双极晶体管的单管结构及工作原理双极器件：两种载流子（电子和空穴）同时参与导电集电极发射极发射结集电结发射区N+基区P集电区 N基极结构特点：1. 发射区掺杂浓度最大，基区次之，集电极最小 2.基区宽度很窄第8页/共64页 放大状态下BJT的工作原理正常放大时外加偏置电压的要求发射结应加正向电压（正向偏置）发射区向基区注入载流子集电区从基区接受载流子集电结应加反向电压（反向偏置）1.发射区向基区注入电子（IEN、IEP小）第9页/共64页三极管内载流子的传输过程三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管为双极型三极管，记为BJT (Bipolar Junction Transistor)另外,基区集电区本身存在的少子，在集电结上存在漂移运动，由此形成电流ICBO2.电子在基区中的扩散与复合（IBN）3.集电区收集扩散过来的电子（ICN）放大状态下BJT中载流子的传输过程第10页/共64页发射区：发射载流子集电区：收集载流子基区：传送和控制载流子 ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。第11页/共64页电流分配关系根据传输过程可知IE=IB+ IC IC= INC+ ICBO 所以 IC= ?IE+ ICBO通常 IC ICBO放大状态下BJT中载流子的传输过程ICEO= (1+ ? ) ICBOIE=IB+ IC（穿透电流） 代入 IC= ?IE+ ICBO又：把 ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。整理得：第12页/共64页且令第13页/共64页正向工作区发射结正偏，发射极发射电子，在基区中扩散前进，大部分被集电极反偏结收集： ( 接近于1）具有电流放大作用： 第14页/共64页CENPNB当发射结正偏（VBE0)，集电结也正偏（VBC0)时(但注意，VCE仍大于0)，为饱和工作区。1. 发射结正偏，向基区注入电子，集电结也正偏，也向基区注入电子（远小于发射区注入的电子浓度），基区电荷明显增加（存在少子存储效应），从发射极到集电极仍存在电子扩散电流，但明显下降。2.不再存在象正向工作区一样的电流放大作用，即 不再成立。3. 对应饱和条件的VCE值，称为饱和电压VCES，其值约为，深饱和时VCES达～。 第15页/共64页当发射结反偏（VBE0),集电结也反偏（VBC0)时，为截止区。当VBC0 ， VBE0时，为反向工作区。工作原理类似于正向工作区，但是由于集电区的掺杂浓度低，因此其发射效率低，很小（约）。ECNPNB反向工作区-+电路符号：有电流流过没有电流流过第16页/共64页双极集成晶体管的结构与制造工艺1. 二极管 （PN结） I对于硅二极管，正方向的电位差与流过的电流大小无关，始终保持V正方向反方向-+P-SiN-Sipn第17页/共64页二极管 （PN结）平面工艺 BBBBB端NPNCEpnpCEEECCPNPE端C端第18页/共64页2. 双极型 晶体管B端npnE端C端BEBEBBCC?NPNN+pCEECn第19页/共64页BBEEBBBCCnnCEppCCEEEnn第20页/共64页3 双极集成电路中元件的隔离Bn+n+EEEEBBBBCCSCCnnppppn+n+n+P+n+P+P+nnnnP-Si第21页/共64页介质隔离PN结隔离双极集成电路中元件的隔离第22页/共64页4 双极集成电路元件的形成过程、结构和寄生效应集电区(N型外延层)基区(P型)发射区(N+型)CSEBpP+n+P+n+n-epi衬底(P型)n+-BLP-Si四层三结结构的双极晶体管双极集成电路元件断面图E(n+)B(p)npnpnpC(n)S(