电容米勒效应.docxVIP

设计电源时，工程师常常会关注与MOSFET 导通损耗有关的效率下降问题。在出现较大RMS 电流的情况下, 比如转换器在非连续导电模式(DCM)下工作时，若选择 Rds(on)较小的MOSFET，芯片尺寸就会较大，从而输入电容也较大。也就是说，导通损耗的减小将会造成较大的输入电容和控制器较大的功耗。当开关频率提高时，问题将变得更为棘手。 图 图 1 MOSFET 导通和关断时的典型栅电流 图 2 MOSFET 中的寄生电容 图 图 3 典型 MOSFET 的栅电荷 图 4 基于专用控制器的简单QR 转换器 图 图 5 ZVS 技术消除米勒效应 MOSFET 导通和关断时的典型栅电流如图1 所示。在导通期间，流经控制器Vcc 引脚的峰值电流对Vcc 充电；在关断期间，存储的电流流向芯片的接地端。如果在相应的面积上积分， 即进行篿gate(t)dt，则可得到驱动晶体管的栅电荷Qg 。将其乘以开关频率Fsw，就可得 到由控制器Vcc 提供的平均电流。因此，控制器上的总开关功率(击穿损耗不计)为： Pdrv = Fsw×Qg×Vcc (1) 如果使用开关速度为 100kHz 的 12V 控制器驱动栅电荷为 100nC 的 MOSFET，驱动器的功耗即为 100nC×100kHz×12V=10mA×12V=120mW。 MOSFET 的物理结构中有多种寄生单元，其中电容的作用十分关键