等离子体增强化学气相沉积设备PECVD配置和技术指标.docxVIP

等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）配置和技术指标 系统描述 设备主要功能及特点 设备利用平板电容式辉光放电原理，将通入沉积室的工艺气体解离并产生等离子体，被解离的基团在等离子体中重新发生化学反应，在具有一定温度的基片上沉积形成薄膜。经外加电磁场，可根据工艺调节等离子体的密度和能量，精确控制薄膜的生长速率和微结构。 可生长材料（可选配）： 硅基（Si）薄膜：非晶硅（a-Si）、多晶硅（poly-Si）、氧化硅（SiOx）、氮化硅（SixNy）等 碳基（C）薄膜：石墨、类金刚石（DLC）、碳纳米管（CNTs）、碳纳米线（CNWs）等 硅锗合金（SiGe）、钨硅合金（WSi2）、W、SiC 上下极板间距 1~6cm 范围内在线可调。 系统采用计算机控制，液晶显示屏、鼠标键盘操作，Windows 会话界面，操作简单方便，并支持自动控制和手动控制两种方式，可实现真空系统及工艺过程全自动化操作。 系统组成及设备结构 设备主要由高真空沉积室、真空获得系统、真空测量系统、电源系统、气路系统、恒压系统、电气控制系统、自动控制系统、报警系统等部分组成。 高真空沉积室 真空沉积室采用 SS304 优质不锈钢制造，桶形卧式结构，上升盖形式。放电电极采用平行平板电容式结构，上部为带有喷淋式多层匀气盘的射频阴极，下部为可加热的阳极工件台。上下电极间距可在线自动调节，调节范围 1~6cm。 真空获得系