第二章 薄膜制备方法.ppt

整理课件 §2.2.3 溅射沉积装置 主要的溅射方法： 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 反应溅射 各种离子束源也可以实现溅射沉积 各类方法可结合起来用。 直流溅射 直流溅射又被称为阴极溅射或二极溅射。常用Ar作为工作气体。典型条件：气压：10 Pa，溅射电压：3000 V，靶电流密度 0.5 mA/cm2，薄膜沉积速率低于0.1μm/min。 气压低时，电子自由程较长，在阳极上消失的几率较大，电离气体分子几率低。 气压过高时，溅射出的原子受到过多的散射，沉积几率下降。 缺点：不能独立控制工艺参量，如阴极电压、电流、溅射气压； 气压较高。 沉积速率： d：靶基距离，k（p）为与气压有关的系数。 三极/四极溅射装置 热阴极发射电子能力较强，因而放电气压可以维持在较低的水平，有利于提高沉积速率、减少气体杂质污染。 一般工作条件：气压：0.5 Pa，溅射电压：1500 V，靶电流密度：2 mA/cm2，沉积速率0.3 μm/min。 缺点：难以获得大面积均匀分布的等离子体。 射频溅射 直流溅射不适于非金属靶材，而射频溅射可以。 交流电源频率低于50KHz时，气体放电的情况与直流时候的相比没有什么根本的改变，唯一的差别只是在交流的每半个周期后阴极和阳极的电位互相调换。 当频率超过50KHz以后， 第一，在两极之间不断振荡运动的电子将可从高频电场中获得足够