电子功能材料与器件第2章装置瓷201604.pptVIP

(c) 显微结构 AlN 陶瓷烧结体主要由AlN 晶相、铝酸盐第二相(晶界相) 以及气孔等组成，而AlN 陶瓷热导率与各相显微结构密切相关。 第二相的 存在 第二相的 分布状态 如烧结过程中引入的烧结助剂与AlN 粉体中的Al2O3 发生反应,形成Y3Al5O12（第二相），热导率低，仅为11W/m ·℃ 。大量第二相的存在必然会降低AlN 陶瓷的热导率。 第二相在AlN 陶瓷中分布形式有2 种，即孤岛状分布和连续分布。第二相孤岛状分布于三叉晶界处比连续分布于AlN 晶界更有利于提高热导率。 实现方法：通过改善烧结工艺来实现,如提高烧结温度、延长保温时间、热处理等。 (d) 烧结工艺 常压烧结：烧结温度较高，除氧能力较差，不易致密化。 热压烧结：烧结温度低得多(比常压低200～300 ℃) ，除氧能力强，烧结体致密度高。但热压烧结只能制备形状不太复杂的样品，且设备昂贵。 气氛保护：采用流动N2 保护下的还原气氛能够在烧结后期通过碳热氮化还原反应减少AlN 中的杂质氧含量,从而有利于提高AlN 陶瓷烧结体的热导率。 综上所述，高热导率的AlN 陶瓷的显微结构应为:致密度高、晶粒间面与面接触、含少量晶界相且分布于三叉晶界处、晶型完整。 氮化铝陶瓷应用 氮化铝陶瓷基片：热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。 利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件 由于抗热性能好，氧化铝陶瓷可用于制造性能优越的加热器。 利用其光学性能可作红外线窗口。 氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。 AlN陶瓷的金属化 用于陶瓷表面金属化的方法主要有： Mo-Mn法 化学镀 气相沉积 直接键合铜金属化 陶瓷金属化是在陶瓷表面牢固地粘附一层金属薄膜，使之实现陶瓷和金属的焊接。 Mo-Mn法：这种方法是现代陶瓷金属化的基础。工艺过程为: 将MnO2与Mo的粉末用粘接剂粘到陶瓷表面,在1000~ 1800oC的N2或H2中烧结,表面形成玻璃相,同时部分金属氧化物被还原,产生金属表面层,最后在表面涂上一层金属(常用镍)。 由于耗时耗能,目前很少采用。主要用于电子工业中Al2O3陶瓷与金属的连接。 化学镀：化学镀法无需经高温处理，而是采用化学镀液在瓷表面形成金属层，因而其成本较低，适应于大规模生产。 直接键合铜金属化：通过Cu-O共晶液相与Al2O3发生化学键合反应而实现的。 先对AlN陶瓷表面进行热处理，使其表面形成Al2O3薄层，然后将铜箔贴于基板上，在1065℃左右形成Cu-O系共晶溶液，与Al2O3薄层发生键合反应，使AlN和Cu结合在一起。 优点：热阻小、机械性能优良，粘附强度高、耐蚀强、绝缘性及热循环能力高。 气相沉积法：包括物理气相沉积（ PVD）、化学气相沉积（CVD）和等离子反应法，对于AIN、SiC等非氧化物陶瓷与金属的连接，大多采用PVD法。 透明陶瓷是一种新型材料，具有陶瓷固有的优良特性，同时具有光学特性，有较广的应用前景。 1、用途：高压纳灯灯管，激光钾灯，导弹头红外导航视窗，电控光快门，立体电视眼镜等。 2、材料：Al2O3、Y2O3、ThO2、MgO、ZrO2、BeO、PLZT、MgF2、CaF2等。 3.2 透明陶瓷 3、透明原理： (1) 当光线通过某物体时，入射光经表面反射，内部散射和折射以及内部吸收而发生能量损耗，剩下的部分才成为透射光。 透明物质：是指反射、散射、折射和吸收都很少的物质。 透明度可用透光率表示： 透光率=透射光强度/入射光强度 （2）影响透明的机制 材料吸收光能是由于电子跃迁、激子、激化子等激发造成的，是材料的本征特征，人为不能改变。 反 射 内部吸收 散射和折射 这是由空气与物体的折射率差决定的，差别越大，反射越强，这也是材料的本征特性，人为不可改变。 光通过不均匀介质时，会发生散射或折射，我们可以通过调整介质的均匀性减少散射和折射现象。 2、损耗与温度的关系 频率较低时，温度升高，松弛极化增加，tanδ有所增加 频率增加，tanδ随温度增加的趋势下降 tanδ~T 95(106MHz) 99.5 95(1010MHz) 99.5 lg ρ 95 85 lgρ~T T(℃) 温度增加，电阻率下降，含量增加，电阻率增加，因此Al2O3瓷是一种非常理想的高温、高频陶瓷材料，且随Al2O3含量增加，温度越高，则电子电导特性越突出。 当T1000℃时，