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多晶硅与单晶的扩散比较 多晶硅与单晶硅扩散工艺的比较祝飞多晶电池与单晶电池的比较 ? 多晶硅晶片可以使用纯度相对较低且填充量较大的原料；多晶硅太阳能电池为标准方形，封装在模块中 中有更高的占空比；制备多晶硅锭的耗能少，生产效率高（相同时间内可冷凝更多的多晶硅晶锭）；多晶硅和单晶硅太阳电池内在品质、在同一环境下的使用寿命相同；单晶硅太阳电池较多晶易实现薄片制备。多晶硅的特点 ? 多晶硅晶片由许多不同晶向、形状不规则的单晶颗粒组成，不同晶向的颗粒之间存在晶界。 ?多晶硅单独看某一晶粒，其内部原子排列呈周期性和有序性；而晶粒间（晶界）结构复杂，硅原子无序排列，且可能存在深能级缺陷的杂质。 ? 晶界是一个强复合中心。首先，晶界附近的载流子被耗尽，形成一定宽度的耗尽层和势垒 流子的传输，增大串联电阻；第二，晶界的复合增加暗电流，对填充因子、开路电压和短路电流不利。第三，晶界处的漏电电流降低并联电阻。 ? 增加多晶硅的晶粒尺寸可以减少晶界数量，提高其性能。也不一样,；晶圆之间的晶粒分布存在差异。 ?单晶硅和多晶硅的方阻随扩散温度升高而降低。原因：d=d0exp(e0/kt)。随温度升高，扩散系数增大（结深 P在Si中的固溶性也增加（电阻率降低），因此方形电阻降低。 多晶硅的方阻较单晶硅对扩散温度更敏感。原因：多晶硅晶界和晶粒上的扩散系数不同，二者均是温度的 函数，存在一个关系：DB=dlexp（E1/KT），即DB/dl随T的增加呈指数下降。结果如下：首先，晶界源流入晶粒；二是源扩散到硅片表面，被晶粒吸收的部分增加；第三，温度的升高使晶界和晶粒作为一个整体吸收了更多的源。