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IRGB4061DPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology C
VCES = 600V
• Low switching losses
• Maximum Junction temperature 175 °C
I = 18A, T = 100°C
• 5 µS short circuit SOA C C
• Square RBSOA
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM) G tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient
• Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode E VCE(on) typ. = 1.65V
• Tight parameter distribution n-channel
• Lead Free Package
Benefits C
• High Efficiency in a wide range of applications
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to
Low VCE (ON) and Low Switching losses E
• Rugged transient Performance for increased reliability GC
• Excellent Current sharing in parallel operation
• Low EMI TO-220AB
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